那么，ST为何要在SiC的衬底和晶圆制造上大举投资？

ST执行副总裁、中国区总裁曹志平解释道，对于像SiC这样的新技术，尽可能多地控制整个制造链非常重要，包括SiC衬底、前工序的晶圆制造、后工序的封测以及定制SiC功率模块。

! V4 Z, B: p( E& q* G$ P

在收购Norstel AB公司后，ST真正拥有了一个完整的制造链。现在，Norstel AB已更名为ST SiC AB，这标志着ST进入了SiC供应链的上游衬**造。

此外，ST还不断扩大产能，例如，提高了主要功率器件制造厂意大利卡塔尼亚工厂的产能，新加坡生产线更是增加了1倍产能，6英寸升级到8英寸的项目已在筹备中。ST的后工序封测厂位于摩洛哥的布库拉和中国深圳。ST深圳工厂是ST的主要的碳化硅封装工厂，ST最走量的产品都是在深圳完成封测的。

那么，计划在2024将SiC衬底的内部供应提升至40%以上，这能为ST带来什么优势？

实际上，ST的经营策略是成为IDM厂商，这意味着，要把控关键的差异化技术及其相关工序和工艺。SiC就符合这种情况。

4 f% L: j1 z3 q) G7 y% |

如今，全球SiC衬底晶圆市场主要掌握在几家供应商手里。ST主要是从一家美国公司和一家日本公司采购6英寸衬底晶圆。关于内部产能情况，ST正在卡塔尼亚建设一座总价7.3亿欧元（约8亿美元）的衬底晶圆厂。ST既要提高内部供应比例，又要不断拉低成本。出于这个考虑，ST准备把生产线升级到8英寸（200mm）晶圆。

9 i* V  l- j0 S( c+ Q* c' X

在新技术投入方面，在未来几年里，ST将在产前测试合格后启用SmartSiC技术。目前，SiC衬底是从单晶SiC晶棒上切割下来的圆片，这种方法的缺点是单晶SiC晶棒很薄，只能获得数量有限的芯片，成本居高不下。通过SmartSiC制造工艺，ST可以从晶棒上切下一层SiC，然后将它粘合到更容易获得、更容易生产的多晶碳化硅衬底上。换句话说，这个工艺是在多晶碳化硅衬底上掺杂单晶碳化硅层。单晶硅的优点是电阻率较低，性能更好。因此，SmartSiC制造工艺降低了总体成本，并且会带来性能提升。