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AN4325:STM32F030和STM32F070硬件开发入门(中文译文)

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zero99 发布时间:2017-10-31 13:24
AN4325应用笔记. |! p' V1 `/ {6 C4 z! ^5 W5 w% @8 w
STM32F030xx 和 STM32F070xx 系列硬件开发入门1 B8 G0 p2 U; v' H1 V9 n, C

- A6 \# j' [' a0 |1 l' D0 W

  a" K7 B& r  I" b' s引言* I* c' @% Z; M0 q
本应用笔记为系统开发者们提供了所需的开发板特性硬件实现概述,如供电电源、时钟管理、复位控制、启动模式设置、调试管理。它显示了如何使用 STM32F0x0xx 产品系列,说明了开发应用所需的最低硬件资源。本文档包含详细参考设计原理图以及主要组件、接口和模式的相关说明。
; C. U2 k: Z' F, J* ?( e2 P

% N/ u5 B4 ?2 H& V 11.png
* m& j0 K' R; p注:本文档中,为 STM32F030xx 器件使用的标记是 STM32F030,为 STM32F070xx 器件使用的标记是 STM32F070。如果涉及的是两个系列,则会使用 STM32F0x0 标记。引脚数和内存大小不会影响该硬件说明。+ C  e8 r1 Q8 K6 f. F$ S" D

# q9 q8 _; k4 M. u7 k# S( [# A4 E- {5 t9 O
1、STM32F0x0 系列的供电和复位源
: m+ k$ i2 o0 a8 g0 {1.1 供电方案$ L& X1 `; t7 _$ d) q7 Z
STM32F0x0 系列包含不同的产品,各产品使用的供电方案也有所不同,其中包含的内部调压器可为内核和数字逻辑提供内部 1.8 V 电源。
4 E: \0 |3 N7 v! f9 J有多种供电方案:
$ E% F' O3 J$ j3 N) p8 d • VDD 从 2.4 V 到 3.6 V:I/O 和内部 1.8 V 域的外部电源。通过 VDD 引脚从外部提供。, w3 g! @* R( W7 v/ `. h  S/ @/ A1 t
• VDDA 从 VDD 到 3.6 V:ADC、复位模块、 HSI、 HSI14、 LSI 和 PLL 的外部模拟电源。
1 X4 O; k2 X8 a • VDDA 电平必须一直大于等于 VDD 电平,且必须首先提供。) i  @4 R2 g, S. a4 }
12.png . h: b- m7 t) ^: G5 v+ g2 q' d$ [: C

$ w& f0 Y; h) k6 P# Q9 y3 e/ \1.1.1 独立模拟供电7 s  \  g- K& e5 }9 J8 S9 p3 t
为了提高转换精度、扩展供电的灵活性,模拟域配有独立电源,可以单独滤波并屏蔽 PCB上的噪声。
3 F  b5 r0 k8 R1 D2 l4 W• ADC 电压源从单独的 VDDA 引脚输入。+ g0 v1 v6 B- g
• VSSA 引脚提供了独立的电源接地连接。& y  ?' P- N4 y& q
VDDA 供电可大于等于 VDD。这使得 VDD 在保持为低的同时仍可为模拟块提供全部性能。当使用单供电时, VDDA 必须外部连接至 VDD,为得到无噪声的 VDDA,建议使用外部滤波电路。$ `  ^/ f* I+ e
当 VDDA 不等于 VDD 时, VDDA 必须一直大于等于 VDD。在开机 / 关机期间,为在 VDDA 和VDD 之间保持安全的电位差,可在 VDD 和 VDDA 之间使用外部肖特基二极管。请参考数据手册以得到最大允许的电位差。
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! t5 y# x: M6 w, r& K  x9 q( ^  j: i" o* A( t: U0 |; e
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1.1.2 调压器
4 t; x  e9 g' ~此调压器在复位后始终处于使能状态。# i. I* A1 O' P( Q& }5 H* [
在两种模式下工作: 7 L" d. ?7 f: d! a5 X
• 主调压器 (MR)用于正常工作模式 (运行)。
: S) {2 T4 y4 n# _4 s$ p7 s7 W0 o• 低功耗 (LPR)可用于停止模式以降低功耗需求。
* k  `# s) z2 X& t3 _# Z7 ]在待机模式中,调压器处于掉电模式。在该模式中,调压器输出高阻抗,内核电路掉电,包括零功耗,寄存器和 SRAM 的内容将丢失。但可以使用以下功能 (若配置): 4 c) R) m8 k! u4 \' C+ Q* i
• 独立的看门狗 (IWDG):IWDG 通过写入其密钥寄存器或使用硬件选项来启动。而且一旦启动便无法停止,除非复位。
* l0 \" i+ i# h. B5 s• 实时时钟 (RTC):通过 RTC 域控制寄存器 (RCC_BDCR) 中的 RTCEN 位进行配置。
0 M7 |. k  [5 p- J• 内部低速振荡器 (LSI):通过控制 / 状态寄存器 (RCC_CSR) 中的 LSION 位进行配置。 ; s& P+ A. X% p( n1 P' g
• 外部 32.768 kHz 振荡器 (LSE):通过 RTC 域控制寄存器 (RCC_BDCR) 中的 LSEON 位进行配置。) e) P' n# q  `& i$ t. L
  U) e# l: J& h; ?, o. |; D

* d. q4 f* Q: g. ]6 h  g。。。
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6 q4 |; P, r3 p; R7 K阅读更多内容,请下载文档:# _7 l) F9 ^" R0 Q
下载地址1>>        下载地址2>>* x; e- A$ |! p8 K( i5 N6 R) @- k

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收藏 评论4 发布时间:2017-10-31 13:24

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4个回答
Paderboy 回答时间:2017-10-31 14:15:13
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西点钟灵毓秀 回答时间:2018-9-29 16:00:04
AN4325:STM32F030和STM32F070硬件开发入门
yang100 回答时间:2019-11-29 23:18:08
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bedouins 回答时间:2019-12-9 15:00:03
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