STM32G071评测：Flash

[复制链接]

STM1024 发布时间：2019-1-16 20:42

文章
文章封面:	-
文章简介:	-

本帖最后由 stm1024 于 2019-1-18 11:15 编辑

Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：

1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

再看看Flash的组织。见下图：

Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。

在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。

以下Flash编程测试代码：

int main(void)+ K# V. B% x' k7 O8 f
{
, } I( m2 T/ Z
uint16_t i;7 d% C, v# E- i! b' V6 r3 n
HAL_Init();1 }( }! O! p5 O6 A1 ]
SystemClock_Config();6 Y# p9 b" t4 k/ r1 g1 o( M
MX_GPIO_Init();/ V4 `+ J2 ^! [ _, v
HAL_FLASH_Unlock();
# w' o: K$ G, c0 i
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
/ ~6 f3 J. R6 I* h/ c6 S
EraseInitStruct.Page = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);; Y/ c$ n( O4 a# }, t6 V% E
EraseInitStruct.NbPages = 1;
, P( z5 c: e5 E' Y- ]
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError); - i% w0 @" E7 A: c7 _5 v& m* e) d
//8*256=2KB,1 page 2 x2 h/ p( p% [$ @( s
for(i=0;i<0x100;i++)
H# K8 e% B# N: G
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);7 m. b8 I, F0 h2 i
HAL_FLASH_Lock();
6 ]2 R! w. a( }
while (1)
, X M# e$ q0 f* b7 m' S: y+ F2 @7 [
{8 w2 w5 _5 ^9 L# e, ~
' g1 ^9 _" T9 b! i& ~! e, B' E
}
5 n A% a6 h% q% z# r
}