Stm32H7XX GCC下分散加载实现
STM32H750XBHT这块单片机，里面有五块内存区：

TCM 区
0 c9 ^. O9 J- o" \速度： 400MHz。
% a4 Q" ]/ w* r& h( K! M: c- nDTCM 地址： 0x2000 0000， 大小 128KB。
- T5 p' a& R8 |( _ITCM 地址： 0x0000 0000， 大小 64KB。

AXI SRAM 区
+ r- h6 r( c: g( v位于 D1 域， 数据带宽是 64bit， 挂在 AXI 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB
9 I& |0 K' y5 h- h. s# G主控不能访问，其它都可以访问此 RAM 区。
速度： 200MHz。
2 K  @( x. O( l, Z! A2 Y' G0 ^/ O* j地址： 0x2400 0000， 大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

SRAM1， SRAM2 和 SRAM3 区，这三块都位于D2区
位于 D2 域， 数据带宽是 32bit， 挂在 AHB 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB
主控不能访问这三块 SRAM，其它都可以访问这几个 RAM 区。
速度： 200MHz。
0 T0 E9 I: {& Y1 _" o2 ~SRAM1： 地址 0x3000 0000， 大小 128KB， 用途不限，可用于 D2 域中的 DMA
2 x6 k+ \4 n' }6 z2 n1 h缓冲， 也可以当D1 域断电后用于运行程序代码。
$ @2 p. ^. f) w* b( e! n/ m, I8 ]# k5 fSRAM2：地址 0x3002 0000， 大小 128KB， 用途不限，可用于 D2 域中的 DMA
  w  a4 o: y/ ~  s- @3 B! U; }缓冲，也可以用于用户数据存取。
8 q7 Z  a8 m+ CSRAM3：地址 0x3004 0000， 大小 32KB， 用途不限， 主要用于以太网和 USB 的缓冲。
- X/ U8 Q* @! W1 R
SRAM4 区
位于 D3 域， 数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
速度： 200MHz。
8 I7 R6 ?  j. F7 N地址： 0x3800 0000， 大小 64KB。
用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby
  g& C6 F& t) J待机方式后， 继续保存用户数据。

& z. i  I* I  e. wBackup SRAM 区
: R4 f' e3 Q! P% r备份 RAM 区， 位于 D3 域， 数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能
" l/ x( E/ V0 c: I7 l" ~5 O: n访问这块 SRAM区。
0 p4 n7 ?, i$ B) @2 P* F5 y速度： 200MHz。
4 p: X3 h: ]% i* C8 s$ V地址： 0x3880 0000， 大小 4KB。
4 j& g& o+ v( M; \; ]/ u7 d1 ~用途：用途不限， 主要用于系统进入低功耗模式后， 继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

3 i! G( K  Y% x/ I$ l( u# o8 {' G6 l既然有这么多快内存区域，那么我们在使用gnu环境下应该怎么使用各块区域的内存呢？
这里就要使用“分散加载法”。

9 y% \# }9 m) z打开STM32H7的链接脚本：
3 L4 }, t& ?, w& s

1. MEMORY
   : F9 N9 G4 Z% w6 q
2. {
   . N, u. M2 H& O$ L) x; t
3.   DTCMRAM    (xrw)    : ORIGIN = 0x20000000,   LENGTH = 128K
   . G5 E1 h& U5 r: Y
4.   ITCMRAM    (xrw)    : ORIGIN = 0x00000000,   LENGTH = 64K
   # E* o* m* U4 T+ Q8 n6 o; T; j: \3 L
5.   RAM_D1    (xrw)    : ORIGIN = 0x24000000,   LENGTH = 512K
   
6.   RAM_D2    (xrw)    : ORIGIN = 0x30000000,   LENGTH = 288K
   1 [' M/ Q  M) J) Z7 E& p1 K5 w
7.   RAM_D3    (xrw)    : ORIGIN = 0x38000000,   LENGTH = 64K
   
8.   FLASH    (rx)    : ORIGIN = 0x8000000,   LENGTH = 128K
   
9. }
   7 ~+ J* U. h! Q

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链接脚本中已经给我们定义好了各个内存区块，可以看到跟我们前面介绍的是一样的。
那么怎么使用呢？
, i+ b* ~0 \' H- k9 c先抛出一个问题，我们之前在写stm32代码的时候，定义的全局变量会保存在哪里？
+ `2 O3 W" ]: b: O% }4 x5 t/ b答案是全局区，那这个全局区到底在哪？
0 f! l8 F. o( R/ p- i* `' f链接脚本会告诉我们：
, T6 y* W- X2 @

1.   /* Initialized data sections into "RAM_D1" Ram type memory */
   
2.   .data :
   5 `' j- t, y! ^7 d
3.   {
   
4.     . = ALIGN(4);
   
5.     _sdata = .;        /* create a global symbol at data start */
   ( i1 R0 }2 Y. j: z
6.     *(.data)           /* .data sections */
   1 r! j+ F0 Y- _  n  b
7.     *(.data*)          /* .data* sections */
   
8. 
   
9.     . = ALIGN(4);
   ' W! M+ r: m1 }$ J6 Q& n& G% U& F5 m) x
10.     _edata = .;        /* define a global symbol at data end */
    
11.    
    2 v% p$ h4 T6 B
12.   } >RAM_D1 AT> FLASH
    

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0 b6 ]& w5 c# N$ M0 A/ @/ A9 u# c可以看到我们定义的全局变量会保存在RAM_D1区域。
所以我们要将这些内存区域定义成相关的sectin。加到ld文件中
写法如下：

1. /*************************************************************************************************
   
2. ** DEFINE DTCMRAM RAM_D2 RAM_D3
   $ v, g# ]7 p. L5 s3 ]" i
3. ** WE CAN USE THESE RAM LIKE THIS:
   
4. ** uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));
   
5. *************************************************************************************************/
   & a! {0 J8 Q; `
6.   .dtcmram :
   
7.   {
   
8.     . = ALIGN(4);
   
9.     *(.data)           /* .data sections */
   
10.     *(.data*)          /* .data* sections */
    ; j' f: q6 F" t$ d* C; h
11.     . = ALIGN(4);
    4 N  ~" v$ D" R& C) ]
12.   } >DTCMRAM AT> FLASH
    7 B& }; L4 ?! h4 \/ [
13. 
    ; N# T. G4 P; }8 O
14.   .ramd2 :
    
15.   {
    " H- t" D/ T% d' H; V& A" v+ e
16.     . = ALIGN(4);
    
17.     *(.data)           /* .data sections */
    
18.     *(.data*)          /* .data* sections */
    
19.     . = ALIGN(4);
    
20.   } >RAM_D2 AT> FLASH
    
21. 
    
22.     .ramd3 :
    
23.   {
    " J$ Y5 R! D% w3 O3 {
24.     . = ALIGN(4);
    
25.     *(.data)           /* .data sections */
    - ~# X* r+ j1 D+ G: p
26.     *(.data*)          /* .data* sections */
    
27.     . = ALIGN(4);
    ' ^" m; A) a' |
28.   } >RAM_D3 AT> FLASH
    

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0 D* Q2 P2 [" A2 \5 H加好之后，我们就可以指定全局变量定义在哪一块ram中了。

1. uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));
   

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9 \3 \! z2 z$ f  o; w- N8 x+ W8 u可以打印一下该数组的地址，位于DTCMRAM 区。定义到其他几个区也是一样的写法。
1 j" ?# b) E$ C: {* j: B% z9 M所谓分散加载法，其实就是用Ld文件指定数据到目标存储区域。
# Z7 H3 e+ {: m) Z————————————————
7 [& P: h3 b& ^+ m) W版权声明：tony++

/ D1 [* I8 y6 m2 j0 T, ^

不错，正好需要这个