前言STM32L4系列的微控制器采用新型结构制造,得益于其高度灵活性和高级外设集,实现了一流的超低功耗性能。STM32L4系列产品的性能为应用提供最佳能量效率,在超低功耗领域首屈一指。+ j6 |7 [' Z/ r7 I STM32L4xx器件基于ARM®Cortex®-M4,具有FPU内核。它们的工作频率可达80 MHz,并实现了在80 MHz频率下具有100 DMIPS的性能,由于集成了ART Accelerator™,还同时能保持尽可能小的动态功耗。, \- k6 Y1 |* C) r: v STM32L4系列产品具有FlexPowerControl,它提高了功耗模式管理上的灵活性,同时降低了应用的总体功耗。$ z7 P& V3 H/ O; O# e STM32L4xx器件嵌入了大量智能执行外设,具有多种先进的低功耗模拟功能,并且有多种外设可使用低功耗模式。得益于批采集子模式(BAM),STM32L4系列的微控制器可在数据与通信外设进行传输时优化功耗,同时其他器件处于低功耗模式。! s% p% ^5 J9 A* Y4 j: R 低功耗设计和处理性能的结合使得STM32L4器件能够实现行业领先的EEMBC®ULPBench™分数,对于标准产品可达176.7,对于SMPS版本可达253。3 N) H- C$ \7 x ^ 在STM32F和STM32L系列产品的雄厚基础上,STM32L4系列产品集合了多种创新,能够使不同模式下的功耗减到最小,同时保留大部分现有外设并很好地实现了引脚兼容,能够很容易地从现有产品上进行移植。* V6 N R9 ~7 |! K# y5 N8 H 得益于其内置内部稳压器和电压调节,无论外部供电电压是多少,STM32L4xx器件在活动模式下都能保持尽可能小的消耗。这使得这些器件非常适合电池供电的产品,所需供电电压可低至1.71 V。 此外,其多个电压域允许以低电压为产品供电(因而可以降低功耗),同时模数转换器和数模转换器可以更高的电源和参考电压供电,可高达3.6 V。: E' \- j$ A) T STM32L4xx微控制器可支持电池备份域以保持RTC运行,并能支持32个寄存器(每个寄存器为32位宽),在失去主电源,备份电池供电时,备份域功能能够保持工作。该可选备份电池可在有主电源时充电。1 b# M/ r& U6 V! N5 i$ k STM32L4xx器件支持7种主要的低功耗模式,其中每种都有多个子模式选项。这使得设计人员可以在低功耗性能、短启动时间、可用外设集与唤醒源最大数量之间实现最佳折中。% _8 @/ L7 i+ _* D! p- f P后缀的STM32L4器件(STM32L4xxxxxxP)支持使用可选外部SMPS,因此能够进行高效、低功耗应用的设计 1 高能效处理# _+ K0 F) a2 S: k( y/ |+ J STM32L4系列产品围绕Cortex®-M4而构建,具有FPU和DSP指令集。 由于使用了关联到其存储器接口的Cortex®-M4内核,因而在运行模式下获得了很高的处理性能(以DMIPS/MHz表示)。为了确保实现达80 MHz的高性能工作,STM32L4系列的微控制器嵌入了ART Accelerator™,可屏蔽闪存访问等待状态,并且无论系统时钟频率为多少,都可实现1.25 DMIPS/MHz。4 M( l% r% f7 R- ~ 通过动态调节内部供电电压来适应工作频率,可获得很高的能量效率,以mA/DMIPS表示。这种方法称为“欠压”。 i' I5 P3 J! [" s5 g) P STM32L4微控制器提供了两个动态可选电压和频率范围:8 k3 V$ }# Z) e. {9 j J8 X 1. Range 1支持高达80 MHz的系统频率 2. Range 2支持达26 MHz的系统频率,并且效率提高(比Range 1高了15%)。 专用低功耗运行模式(LPRun)使内核可在2 MHz下运行,并且提高了效率,比Range 2高了20%。 这可通过利用内部低功耗稳压器为逻辑供电来实现。此模式下,具有独立时钟的外设仍然能够在16 MHz内部高速振荡器(HSI)下工作。这些外设为I2C、USART、LPUART1、LPTIM和SWPMI1。 图 1显示了不同运行模式下STM32L476的典型电流消耗,它是系统频率的函数。 7 @6 x$ }8 `4 K+ x) `9 v K 4 R6 y+ Q/ g4 w3 P3 j4 h % E. N8 k5 G6 d. {, z STM32L4微控制器允许从闪存,SRAM1和SRAM2,外部Quad-SPI或FSMC Bank 1执行代码。 b# D% G5 C' n0 C/ p 从内部SRAM运行时,电流消耗是最低的。从内部闪存运行时,ART Accelerator™减少了访问存储器的次数,因此可降低总电流消耗。 图 3显示了STM32L476对于三种主要存储器配置的电流消耗: • 从内部闪存执行,ART Accelerator™禁用; • 从内部闪存执行,ART Accelerator™使能; • 从内部SRAM1执行,闪存禁用。 存储系统中可执行代码和数据的位置不仅影响电流消耗,而且影响总体运算性能。作为示例,表 1详细说明了STM32L476在80 MHz系统时钟下运行一个非常复杂算法时测得的整体性能,例如EEMBC®组织的CoreMark®。3 z) v! s& i! i2 D2 a# ]& b ' a7 k \. g# X # l8 H2 p+ D$ c 8 h; N" Q! N7 A 2 ?$ \' }- X* q8 w# y ART Accelerator™使得在计算(CoreMark®每MHz)和电流消耗(CoreMark®每mA)方面均可达到与从内部SRAM运行相同程序几乎相同的性能。9 T g" _$ u9 V 表 4中对不同产品的性能进行了比较。; G: f/ ~; V0 b 6 O2 ~1 z) f! Y. I% @ 如果可能,选择Range 2可提高差不多15%的效率(CoreMark®每mA)。) w8 r( k) R, ?. Q 图 4显示了STM32L4闪存延迟(要被编程到闪存访问控制寄存器中的等待状态数量),它取决于稳压器电压量程范围和系统时钟频率。+ M3 G* x3 n+ R ; D& b( Z6 M8 P& D! R- [; h 完整版请查看:附件 6 _1 W: j' M# a |
DM00148033_ZHV3.pdf
下载559.95 KB, 下载次数: 7
基于STM32L476+64M QSPI接口PSRAM(IPS6404L)开源分享(含源码)
基于STM32L4R9 的QuadSPI Flash 通讯速率不理想经验分享
基于STM32L431RC Standby和RTC中断唤醒经验分享
基于STM32L431的睡眠模式经验分享
STM32L4R9 的 QuadSPI Flash 通讯速率不理想
STM32L4、STM32L4+和STM32G4系列 微控制器上的专利代码读取保护
STM32L433在STOP模式USART不能工作的解决办法
【实测教程】基于STM32L4系列的实测教程分享合集
STM32L4系列MCU的五种振荡器和使用说明
【实测教程】STM32CubeMX-STM32L4之研究串口通信(printf)
我看看啊