使用STM8AF52xx,配置了#define RAM_EXECUTION (1) 在debug模式下(low optimization)使用FLASH_EraseBlock可以正常擦除。 在release模式下(medium 或 high optimization)使用FLASH_EraseBlock卡死。
有人碰到过吗? |
STM8S003F3U6 请求各位大佬支援,但是遇到如下问题。。。这样就一定是这颗芯片的问题吗?
STVD如何生成库文件
STM8 flash 库函数 startaddress = startaddress + ((uint32_t)BlockNum * FLASH_BLOCK_S
stm 8 flash 在RAM运行代码的问题,是不是库函数有问题 Library call (?sll32_l0_l0_a) from within a
STM 有能替代MCHC912B32CFUE8 / NXP的型号吗?
STM8S的CAN总线使用
STM8L151在使用DAC功能后严重发热
STM8 IIC SLAVE 400K
STM8S 定时器1互补输出pwm
STM8S003F3 NRST电压低,无法开机
另外,我记得这个芯片应该直接word对齐编程,不需要先擦除的。
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在擦除前关闭了中断。 这段代码确实在RAM地址段。
如果不需要先擦除,它提供擦除功能干嘛?
手册里有说,稍稍快一点而已 但是一般应用不差这点时间,减少额外的烧脑
我发个题外话,
上周末用我的老电脑,WIN7 32系统,跑跑版本的IAR软件,仿真I2C不通。
事实上产品在新电脑,新版本的IAR是可以正常仿真和使用的。