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【中文文档】AN3390_STM32F2xx控制器模仿eeprom的应用

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STMCU-管管 发布时间:2019-4-11 13:25
STM32F2xx 微控制器中的 EEPROM 模拟- Y  l7 l, i& D9 d

2 Y' x: O* M% M+ X0 M6 V2 F前言
) x0 d& r" ~' }9 z) y: M2 y5 x

5 X. C! l) b* Z% e/ c* SEEPROM (电可擦除可编程只读存储器)通常用于工业应用领域,用于存储可更新数据。EEPROM 是一种用于复杂系统 (如计算机)和其他电子设备的永久性 (非易失的)存储系统,用于在断电时存储和保留少量数据。
- ~: ~4 `# G9 [/ ~2 Q# B+ M2 c
, g) z+ n, C* g9 v: P
为了降低成本,外部 EEPROM 可以用 STM32F2xx 产品所具有的下述特性之一代替:   A8 N. D7 j- T; K! b8 u8 D
● 片上 4 KB 备份 SRAM
5 t2 }9 B6 `. U# H6 G+ t● 片上 Flash,并采用专门软件算法
1 B1 V( N. x  o4 P

: r5 ?7 J: R: p1 O0 W) J9 Z0 c/ cSTM32F2xx 具有 4 KB 的备份 SRAM,当主要的 VDD 电源断电时,该 SRAM 可由 VBAT 电源供电。
0 P0 i! j& w- k2 h6 T
2 U6 L3 I- f/ D/ e
当有 VBAT (通常在电池供电应用中)时该备份 SRAM 可作为内部 EEPROM (无任何额外软件)使用,并具有以 CPU 频率进行高速存取的优势。 , l9 K( U" i& O) l8 t- n8 p

0 s0 Y0 C  S0 d- p而当备份 SRAM 另作他用且 / 或该应用不用 VBAT 供电时,片上 Flash(采用专门软件算法)可以用于模拟 EEPROM 存储器使用。 , W3 g4 k0 {- U( w0 [

# R( k. l  h: Y# k2 t# i1 y本应用笔记对通过利用 STM32F2xx 产品的片上 Flash 模拟 EEPROM 机制来代替独立EEPROM 的软件方案进行了说明。
0 M1 p* h  H# d7 J6 G6 y+ g
% k+ h1 V1 f9 \
至少使用两个 Flash 扇区才能实现该模拟。 EEPROM 模拟代码在两个扇区 (当它们被填充时)之间交换数据,这在某种程度上是对用户透明的。 0 q; \+ B' t0 O% g$ _
; l$ P$ [( e  L* a( {0 S$ _
本应用笔记所提供的 EEPROM 模拟驱动器满足以下要求:
+ d" i& M: h8 c; x● 轻量级实现,具有一个简单的包含了三个函数 (用于初始化、读数据和写数据)的API,并减少了封装。
3 ^/ @' i& e) {* s6 i* @● 简单易用的可更新代码模型
6 O5 s! s3 C& I5 K* n- c4 V8 j9 s● 清理和内部数据管理对用户透明 - P5 r. x: \2 W9 K# s* n* n
● 后台扇区擦除
6 j* H( g: K- U  y  a● 至少要使用两个 Flash 扇区,对于损耗均衡则需要使用更多 (Flash 扇区)
5 I+ I/ j  h, k# n* z  }& p  J1 U+ S7 l. ?" b
模拟 EEPROM 的大小是弹性可变的,它受扇区大小的限制和约束,并需考虑最大 EEPROM空间大小。
% M- c) e- D8 h# Y% ?8 N5 ^
' H0 R0 J( K  I
1 外部 EEPROM 和模拟 EEPROM 之间的主要区别
' V6 j# ^( y/ S$ t; x
( y) i/ n$ O/ F1 A, w9 t
EEPROM 是许多嵌入式应用(需要能够进行非易失性数据存储,且运行时间内以字节或字的颗粒度进行更新)的关键元件。
+ W5 J& g6 j$ x+ V! q0 V$ j% E7 O

2 P; a5 K3 o' l. S用于这些系统的微控制器通常基于嵌入式 Flash。为了减少所用元件、节省 PCB 空间、降低系统成本,可以用 STM32F2xx Flash 代替外部 EEPROM 来进行同步编码和数据存储。
6 u) {$ y5 p7 G7 V" |

/ c" F* }' {/ v( x. f与 Flash 不同,数据可被重写前,外部 EEPROM 不需要擦除操作来释放空间。需要专门的软件管理来将数据存入嵌入式 Flash。
0 A5 x# R8 J' E) `# n1 Y

  I9 Q4 W* O, J0 V/ M3 t  l$ \0 D1 E仿真软件方案取决于多种因素,包括 EEPROM 可靠性、所用 Flash 结构和产品需求。
; r- r2 j8 _; j+ d9 K+ }/ p- y
0 T8 Z! D6 W1 p
嵌入式 Flash 和外部串行 EEPROM 之间的主要区别对于任何使用同样 Flash 技术的微控制器(并非针对 STM32F2xx 系列产品)都是相同的。主要区别概括如表 1。4 V% C" V4 L/ t- C4 n7 B/ p

) e: v! E. V2 x6 e; m
1.png

6 b  q" K" G0 Q/ ?
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/ U- w/ ?1 ?  p3 G* W! ^5 N& f
..........
! B5 l' ?% e! Y  K; l0 e& B3 i
想了解更多,请下载原文阅读
1 _- j/ s: v! T6 k
收藏 1 评论1 发布时间:2019-4-11 13:25

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1个回答
Kevin_G 回答时间:2019-4-11 14:21:56
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