STM32L1x 温度传感器应用举例* E8 E/ b+ t0 C $ Q0 x3 R3 A% u9 v w8 ?& _ 前言 3 y0 l4 ]* { j% ~% h3 ~, E) E* i8 ? 本应用笔记说明了使用 STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 板,实现简单温度测量应用的方法。本文讲解的解决方案使用 STM32L1x 微控制器集成的温度传感器。本文讲解了使用工厂或用户校准,提高温度传感器精度的方法。 * P& w% m9 o3 Z ! d" R+ W. f- a' Z6 s 演示应用不需要任何额外硬件。当使用相关固件更新 STM32L-DISCOVERY 和32L152CDISCOVERY,并通过连至主机 PC 的 USB 线给板子上电之后,应用即可显示STM32L1x 微控制器的温度。 8 N) e8 P7 ?5 t& u* N3 y* B+ H! a 温度传感器例程代码包含在 STM32L1x 探索固件包中 (STSW-STM32072),可从http://www.st.com 获得。 参考文档 • STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 用户手册 (UM1079) 0 g; O; _$ k! ?7 U7 o; r • STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 板软件开发工具入门 (UM1451) 2 x; v/ c# Q- c7 p7 S; } • STM32L1x 电流消耗测量和触摸感应演示 (AN3413) • 超低功耗 STM32L15xx6/8/B 数据手册 • 超低功耗 STM32L151xC 和 STM32L152xC 数据手册 • 超低功耗 STM32L151xD 和 STM32L152xD 数据手册 3 ]8 _+ _$ ~/ e, h- J • 超低功耗 STM32L162xD 数据手册 3 x/ a" I* ?) X0 I5 R3 ]* C+ q • STM32L100xx、STM32L151xx、STM32L152xx 和 STM32L162xx 基于 ARM 内核的 32位高级 MCU 参考手册 (RM0038) 以上文档可从 http://www.st.com 获得。5 x- A4 ~; D+ G$ P$ i. Z8 f6 W 1 应用概述 本章说明了温度传感器的工作原理以及如何使用 STM32L-DISCOVERY 或32L152CDISCOVERY 上内置的 STM32L1x 微控制器进行温度测量 后面会简单说明如何实现示例温度测量应用。 在整个文档中,使用 STM32L1xxDISCOVERY 表示 STM32L-DISCOVERY 或32L152CDISCOVERY 评估套件。 5 f$ V& k" U3 z3 f% M$ q% N' {1.1 温度传感器 * d4 [5 t3 K5 U8 Z. \集成于 STM32L1x 微控制器中的温度传感器可输出与器件芯片结温成正比的模拟电压。 ; v0 M) C9 y: R8 L$ l; n注: 请注意,传感器提供的温度信息为芯片结温 (半导体表面的实际温度),它可能与环境温度不同。若需更详细信息,请参见产品数据手册的 “ 热特性 ” 一节。 集成的温度传感器提供了较好的线性特性,典型偏差为 ± 1%。其温度范围等于器件的温度范围 (–40 °C 到 85 °C),最大结温为 150 °C。 7 d c8 Z) n% K; r传感器的线性很好,但可交换性很差,必须对其校准以得到较好的总体精度。若应用设计为仅测量温度的相对变化,则不需要校准温度传感器。 * J$ a" s. g/ @& N6 w( b1.2 温度测量和数据处理 温度传感器的输出在芯片内部连至 STM32L1x 中 ADC (模数转换器)的通道 16(ADC_IN16), ADC 通道用于采样和转换温度传感器的输出电压。必须进一步处理原始ADC 数据,以便用标准温度单位显示温度 (摄氏度、华氏度、开氏温度)。 ( l! ]1 k/ I$ p9 c9 xADC 参考电压 (VDDA = VREF+)连至 STM32L1xxDISCOVERY 板的 3 V VDD 电源。若不知道 VDD 的精确值,则与使用电池工作的应用一样,必须对它测量以得到正确的总体 ADC转换范围 (见下节的详细信息)。 电池供电设备上的温度测量 若器件直接用电池供电,则微控制器的供电电压会有变化。若 ADC 参考电压连至 VDDA,即低引脚数封装器件的连接方式,ADC 转换的值会随电池电压漂移。需要知道供电电压以补偿该电压漂移。可使用芯片的内部电压参考 (VREFINT)来确定实际供电电压 (VDDA)。ADC_IN17 内部参考输入上的 ADC 采样值 (Val_VREFINT)可由下式表示 精确的芯片内部参考电压 (VREFINT)由 ADC 单独采样,在制造过程期间,将每个器件的对应转换值 (Val_VREFINT_CAL)储存于受保护的存储区,其地址为产品数据手册中规定的VREFINT_CAL。内部参考电压校准数据为 12 位的无符号数 (右对齐,存储于 2 个字节中),由用于参考的 STM32L1x ADC 获取 工厂测量的校准数据总体精度为 ± 5 mV (若需更详细信息,请参考数据手册)。 我们可使用上式确定实际的 VDDA 电压,如下所示: Val_VREFINT VREFINT 212 VREF+ × ⁄ VREFINT 4096 VDDA = = × ⁄VVREF_MEAS VREF+ = = 3V 0.01V ±VDDA 3 Val_VREFINT_CAL Val_VREFINT m% n. z ]- `$ n/ _ |
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