你的浏览器版本过低,可能导致网站不能正常访问!
为了你能正常使用网站功能,请使用这些浏览器。

【中文文档】AN1181_静电放电敏感度测量

[复制链接]
STMCU-管管 发布时间:2019-4-2 12:39
静电放电敏感性测量
) m: x! W. i) n# S! i2 M: v. E5 v/ B6 H" o) b
1 参考文档
9 R; A0 M$ u' P4 _& N: Q( |/ m, r& S) o( H8 q# Y) v+ Q
1.1 参考文档 (内部 ST 参考)
7 }+ T7 X# |- [3 P7 ?# f; h0 K; }6 k, a4 a( f
■ 0061692 “产品鉴定的可靠性测试规范” + \( `; E# z4 i1 {
■ SOP2614 “产品鉴定的可靠性过程”
: o/ Q% P7 x4 p1 p1 J, w$ ?  o5 [6 }' U4 }  n. {- O$ }
1.2 其它参考 " h) p" Q& N2 I3 g2 j  b8 M* D' V

" _' P9 w4 _! D( a9 J/ [■ CDF-AEC-Q100-002 “人体模型 ESD 测试” 3 N& v- P3 W) z1 L- ?7 k
■ CDF-AEC-Q100-003 “机器模型 ESD 测试” " {$ t) W9 O% p. J, i
■ ESD 协会标准草案 DS5.3 - 1993 ESD 敏感性测试草案标准 - 充电设备模型 (CDM) 组件测试
. ^9 U8 @2 Z- w9 C  L9 W8 u■ ESD 协会标准草案 DS5.3.1 - 1996 充电设备模型 (CDM) 非转接座模式 $ t& g( p( H2 X+ }: m
■ JEDEC 标准 JESD22-C101 “电场诱导充电设备模型”
$ r9 x* L# ^9 ^5 Q, `■ JEDEC 标准 JESD22-A114A “人体模型”
" Y1 b. C5 i4 }5 J■ JEDEC 标准 JESD22-A115A “机器模型”
* T' _7 x- F) ]/ n■ ESD 协会标准草案 DS5.2 - 1996 “机器模型”
7 m& v# B9 X! ^■ ESD 协会标准 ESD STM 5.1 - 1998 “人体模型” # h& ?4 L4 c1 ^9 Z% W0 I
■ EIAJ 临时标准 EDX-4702 “充电设备模型”9 v( a/ B2 z/ A' }
* ]& q1 o* ~) X% n
2 定义
3 x( l7 h' N  A3 Q: N0 S" o6 p. t% z3 C# Q: b
— DUT (在测器件):进行 ESD 敏感度评估的器件。 4 r4 ?+ t! T- _1 S3 U" `, I- u
— ESD (静电放电):处于不同静电电势的主体之间的静电电荷转移。
6 t1 ~6 g( v2 G) `0 y+ Z- d+ t$ c# y— 静电放电敏感度:导致部件故障的 ESD 电压。
  K$ [, l8 J: n- F1 N— ESD 模拟器:用于模拟本规范描述的模型的仪器。
' V$ ^% |& c; k6 G) Y, i— 人体模型 (HBM) ESD:模拟人体向器件放电的 ESD 脉冲。 $ z8 T5 }9 k1 C" P7 k' G/ D
— 机器模型 (MM) ESD:近似于机器或机械设备脉冲的 ESD 脉冲。
9 X, ]( E! S; d# c+ v— 最大耐压:产品通过第 4 节中指定的失效标准要求的最大 ESD 电压。 + B3 O: ?, V/ f; c- D9 ^
— PUT:在测引脚。 + y: s) H$ b# q
— 非电源引脚:除电源引脚和非连接引脚之外的所有输入引脚、输出引脚、双向引脚和时钟引脚。 $ q& v6 a1 `% }' L
— 电源引脚:所有电源引脚、外部电压源引脚和接地引脚。 3 Q: j) E  h7 m# }$ Z% F6 ]$ u4 V
— 相似命名的电源引脚:具有相似名称和功能的电源引脚。例如,VDD1 - VDD2、VCC1 -VCC2、 GND1 - GND2。
' ]& U' x2 G8 }— 振铃电流:通常在脉冲上升时间之后出现的阻尼高频电流振荡。
. B9 g( n. Y& Z# K
* ^) K2 d/ e/ c. m6 `! P. [
3 常规 1 {9 J( d* B, J" }( c' W: p

, {" W% N5 v# n( N# _■ ESD 脉冲模拟器和 DUT 9 h5 M  h7 ]5 ^$ c1 u+ v& b7 C( V
■ 有关 HBM 的信息,请参见图 1 ! O, K' e4 j2 ^5 M3 l* e
■ 有关 MM 的信息,请参见图 2 ; L0 {4 e" e: }. G7 v  h' q3 n

1 y$ S- b, ?- L3.1 测量设备 7 G& a/ d+ J/ o+ u' X; K, F

8 |0 ?' C7 ^, R! L- ?  f" z$ k3.1.1 对于 HBM 和 MM
2 x6 x4 L$ R; {* F8 L+ ?
7 x6 T2 S" H9 Z! ?0 ^& v1 w最小带宽为 350 MHz 的示波器和电流探头。
1 R# e& G& H, O; d; \& K
& Y: p) a7 _. f2 w+ A) X
电流探头的最大电缆长度为 1 米。
" V8 |" s. r$ P6 g! G& d2 r" `; C. x4 t' C* g
— 评估负载:
6 W- M, [6 N2 c
7 m1 I$ Q* y! u7 F. K1 i. w( d3 H
a) 低电感、 1000 V、 500 Ω +/- 1% 喷镀薄膜电阻 ; t( ?0 W. y# y) ~
  @& r# i3 N5 ?( j% B0 L# s2 V9 c
b) 镀锡铜短接线 * i: Y# ~" z6 P) C

' `  o7 {& R$ h1 Q/ T; [2 `) {! u3.2 设备鉴定
5 Y6 T( O; r; C* ^7 u9 t
7 ?/ x" @4 W) E4 q
必须在设备验收的首次测试期间以及可能影响波形的维修之后执行,并且每年至少执行一次,除非测试装置供应商有不同的建议。
+ C( g- D% g0 `. i对于 HBM 和 MM,在连接短路线或者 500 Ω 负载的最多引脚数测试插座上,测试装置都满足表 1 和表 2 中所有电源等级下的要求。
9 s8 l! e4 R7 J$ u0 A
  C# z9 C) j# `; U5 ~1 X5 U3.3 波形校验 5 \# W( }6 j" I% M" C5 Y6 N- E9 t
2 {# R9 f1 L% A3 j! O8 @0 Q
必须至少每 6 个月执行一次。对于 CDM,允许使用 1 GHz 的示波器。3 G; i4 S/ w5 M; y
* N6 [* H( b/ F2 Y1 }) W3 S6 _
4 过程
  p9 e% N5 d% p$ ?; S5 m& f* C2 k0 |; T: ?' u) s+ o
— 必须按照适用的数据手册(静态参数和动态参数)测试所有单元。样本大小取决于 HBM和 MM 的规范 0061692,最小样本大小为 3 个设备。
% S$ X# g, b$ {$ z9 b8 H/ Y/ b$ S0 ?, O" r
— 对于 HBM 和 MM,应使用表 3 中指定的所有引脚组合同一电压下对每个样本进行测试,对每个引脚组合施加 3 个正脉冲和 3 个负脉冲,除非详细规范中有不同的要求。两个脉冲之间的最小间隔为 1 秒。 / d2 n5 x7 D5 L+ l# I" l  a

5 p% B3 K0 B, X注释 A:对于相关产品组 Q&R 部门负责的 HBM 和 MM 测试,可以降低测试标准,以符合 ESD 协会标准 ESD STM5.1 1998 (1998 年二月)和 JEDEC 标准 JESD22- A114A以及 JEDEC 标准 JES22 - A 115 A,具体为对每个引脚组合施加一个正脉冲和一个负脉冲,除非详细规范中有不同的要求。如果要求使用多个脉冲,则脉冲之间的最小间隔为500 毫秒。
; L- c+ A7 ^+ |! \$ ~8 j" Z

! x/ @$ w: U* f( X& z+ I' \! D注释 B:对于 HBM 和 MM,如果需要,对于每个电压或引脚组合可使用 3 个新元件。这将消除任何步进应力硬化效应,并降低由于电源引脚上的累积应力而导致过早失效的可能性。但是,如果在每个电压都对独立的一组 3 个元件进行应力测试,那么为了避免漏掉可能的 ESD 漏洞窗口,建议不要忽略任何应力测试步骤。
# @4 r9 R( u8 ?! E; B
* X* X2 F" a3 Y0 }5 T& Q/ p— 失效标准: # J6 P6 b) u) u' B) p6 i
— 如果产品的所有单元都通过了在某个电压的应力测试,则该产品在该电压合格。 * @2 [7 [# i' o& s' M5 a' d# X
— 如果某一单元在暴露于 ESD 脉冲后不再满足数据手册要求 (静态参数和动态参数),则将该单元定义为失效。 ' n: M* q" N# ~$ e, @9 N$ i
5 Y) V7 _. u0 _: q
注:可通过在失效电压使用新样本进行重新测试,来消除累积损坏效应带来的影响
- |1 K* E/ X) o2 l! h" _
' G! K1 l8 u( z
1.png
9 F. B2 g& Y2 c; v
...........

( V2 `! Y* H8 |- z  q3 g+ |  X- W
想了解更多,请下载原文阅读
, o$ ~1 k& m) o1 F0 e  u
收藏 评论0 发布时间:2019-4-2 12:39

举报

0个回答

所属标签

相似分享

关于意法半导体
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新和工艺
招聘信息
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版