【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM

  本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型，将块编程写改为了字节写。
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  从数据手册得知，STM8S001J3只有128字节的EEPROM。
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  EEPROM起始地址（基地址）0x4000。

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2 }, j# F( }$ Q  在main.c主程序中，修改添加EEPROM基地址宏定义，GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。
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8 Y0 Q; {- O% q* {: `. R  16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究，保留。
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  主函数main()中，有事没事加上5S开机延时，调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。


/ z* q: i2 O" x# b7 z. T  读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]；
  当第个数组元素为0x00时设置dir=1，否则设置为0；
  |7 d' i5 `% I. @. v5 R: Y) A  当dir为0时，即GBuffer[0]不等于0x00时，依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F；当dir为1时，依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF；
' F% F) p! L1 Z' i! E% T$ a0 c  再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[]，观察数据是否正确。
  并增加设置两处断点。
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  编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口，打开内存窗口选择查看EEPROM数据。
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0 @' u$ l* B1 b/ k! N# ]9 W2 `2 Z  全速运行，5S钟后，跑到第一处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x00到0x7F，是上一次程序运行是写入的数据。
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  全速运行跑到第二处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点，程序全速运行，看到LED灯在闪烁。


2 v9 A9 N( a) \  停止程序，将调试复位后，重新打断点调试运行。
" s& D' \$ H$ r5 c  此次看到的现象，在第一处断点处数据为0x80到0xFF；第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。
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. w8 H# A2 t  e$ d; F; b: x- x  中间也测试过FLASH_EraseByte()函数，然而对于EEPROM读写来说，没啥作用，只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说，不需要擦除操作，因为是“真EEPROM”。

  u, J8 A( U) {% C  至此，EEPROM字节读写测试结束。
8 G. x4 {- y! k8 j* f  s8 M
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  本贴测试工程附上：
   STM8S_StdPeriph_Flash_EEPROM.rar (267 KB, 下载次数: 15)

2019-3-11 01:44 上传

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