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本帖最后由 toofree 于 2019-3-12 00:46 编辑 # e& C4 T+ `8 r0 n 【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM ( F: @$ a, B. M* d/ M! D) o9 k5 J2 o1 G/ H0 [3 |& o( H+ j/ ` 本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型，将块编程写改为了字节写。% X* Q) m3 g) W 6 }1 k5 S: O) A 从数据手册得知，STM8S001J3只有128字节的EEPROM。 
! B$ ~/ K9 w8 B8 L EEPROM起始地址（基地址）0x4000。; {0 j+ T @4 B& L: D 
( |8 Z& H4 M7 T& n 在main.c主程序中，修改添加EEPROM基地址宏定义，GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。 
16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究，保留。 
主函数main()中，有事没事加上5S开机延时，调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。 
读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]； 当第个数组元素为0x00时设置dir=1，否则设置为0； 当dir为0时，即GBuffer[0]不等于0x00时，依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F；当dir为1时，依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF； 再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[]，观察数据是否正确。 并增加设置两处断点。8 H4 x! R) R7 r7 l, Z 
9 g$ A8 U6 m: W1 d 编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口，打开内存窗口选择查看EEPROM数据。) U# \4 Z" N' {8 N0 M5 X 
全速运行，5S钟后，跑到第一处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x00到0x7F，是上一次程序运行是写入的数据。9 P" @, p n- e4 a/ H 
全速运行跑到第二处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点，程序全速运行，看到LED灯在闪烁。: G7 |2 X! q9 `8 { 
停止程序，将调试复位后，重新打断点调试运行。( `- ^0 }2 s9 d# G/ r0 k; M 此次看到的现象，在第一处断点处数据为0x80到0xFF；第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。7 k4 G1 P- ~: _9 @7 m 9 |/ ~6 c2 H7 H# G% I ; C+ R) k1 W) r$ ?1 i 中间也测试过FLASH_EraseByte()函数，然而对于EEPROM读写来说，没啥作用，只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说，不需要擦除操作，因为是“真EEPROM”。 至此，EEPROM字节读写测试结束。 * S9 ~' M1 ~- Q- q 本贴测试工程附上： 
STM8S_StdPeriph_Flash_EEPROM.rar
(267 KB, 下载次数: 15)
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STMCU-管管
回答时间：2019-3-22 17:51:38
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