今天刚拿到开发板，写个测试程序熟悉下芯片结构。
对于ST的很多MCU内部都没有EEPROM，比如我接触到的F1/F3/F4，如果想保存一些简单的参数比如产品SN号，固件版本号等信息就可以使用内部FALSH模拟EEPROM来做，简单方便实惠。
我使用F303RE的内部Flash的Main memory的第255页（最后一页）2K字节的大小来模拟EEPROM，这个根据自己的需要来选择，尽量别和代码存放的地方相冲突。

不同的FLASH访问的操作最小单位不同，比如F103和F303都只能以16 bits操作，但是F429可以8bits/16bits/32bits访问，这要特别注意。F303的库函数提供了16bits和32bits的写Flash函数，其中的32bits函数是分2次操作，每次写16bits，可以根据要保存的数据类型分别调用。


访问内部flash需要一定的操作步骤，比如：解锁FLASH，擦除相应的页，写相应的页，锁FLASH，只要按照对应的步骤即可.
写完之后可以查看对应的FLASH空间已经有了我们写的数据了，这个数据掉电之后还是存在的。

读出写的数据发送到串口查看。

ts2000 发表于 2015-6-4 10:12
EEPROM是有擦写次数限制了。还是用外部的EEPROM好点

对于产品序列号，固件版本号这些参数，只会在出厂烧写一次，以后都是读取来显示。和读写CODE一样，所以不存在频繁擦写的问题。如果真的需要频繁修改，那就要另外的考虑了。

用内部的Flash开辟一个空间做为SN等数据储存是一件不错的选择，但是我建议还是不要这样设计。经过实际证明，操作内部的Flash有些时候会出现固件丢失的情况。这样反而得不偿失。

stary666 发表于 2015-6-4 09:57
l0系列的就有内部eerom

是的，L0系列内部是有EEPROM，我用过的F1/F3/F4好像都没有。按道理里面加点EEPROM应该不难，不知道ST是怎么考虑的。

没有代码吗？我做过F1的和F0的，没做过F3的，可以学习下~~~~~~

xnmc2013 发表于 2015-6-3 21:50
没有代码吗？我做过F1的和F0的，没做过F3的，可以学习下~~~~~~

已经更新了，

谢谢分享

多谢分享，学习了

应该都是差不多的吧

莫林2020 发表于 2015-6-4 09:06
应该都是差不多的吧

是的F1和F3系列的一样，F4的和这个有点区别。

这个不错，谢谢分享

不错的教程，先收藏了，留着以后用，谢谢楼主分享

l0系列的就有内部eerom

EEPROM是有擦写次数限制了。还是用外部的EEPROM好点

金币已给，去看看吧

苏浅叶 发表于 2015-6-4 11:10
金币已给，去看看吧

谢谢！！！