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【中文文档】AN2790_TFT-LCD屏与高密度STM32F10xxxFSMC接口

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STMCU-管管 发布时间:2019-4-8 12:56
TFT LCD 与 FSMC 的硬件连接大容量 STM32F10xxx FSMC 接口
1 G$ e4 C' s2 C! ?* _0 V% m4 U3 @' E
前言
3 L9 S. Q2 [* m3 T* E/ [; W: B, ^0 e3 Z% R4 f8 d
交互式界面被越来越多地集成于多种应用中,例如医疗设备、过程控制、手机和其它手持设备。这些界面主要基于使用彩色 LCD 的图形 HMI (人机界面)。 5 O5 K4 Q; b; @: I

5 C# t4 M% E, b7 D: w( ~对支持彩色的需求在全世界范围内极大增长。本应用笔记旨在讨论这一问题,它说明了怎样使用 STM32F10xxx FSMC(灵活的静态存储控制器)来驱动 TFT 彩色 LCD。本文首先说明了怎样将彩色 LCD 连接到 FSMC,然后提供了一个 TFT LCD 接口样例。 2 u- q( v1 p+ A4 G: v

, Z: r! Z) r& G. P# u2 K, H+ o: s9 M与本应用笔记一起交付的演示固件、STM32F10xxx 固件库、以及其它此类固件可从意法半导体网站下载:www.st.com
5 [3 T! A! H3 n0 F5 @, X( H* U  V+ A, G# s* v5 t) y' k
1 STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器 (FSMC) 概述
* n& O% k  f- r+ m& o. w( x: v

8 T3 K8 a4 i: U  L, p7 g6 z; z  b% QSTM32F10xxx 灵活的静态存储控制器(FSMC)为嵌入式外部存储控制器,可使 STM32F10xxx微控制器与多种存储器接口,包括 SRAM、 NOR Flash、 NAND Flash 及 LCD 模组。
. S7 p# s" q; }

0 j) |1 T, f" r6 R, I7 `FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域适合 MCU 并行彩色 LCD 接口,将在本章讲述。 $ d8 f7 |+ C1 w  E( Q' g4 `
# \6 e& e6 G7 D- z& U+ {
1.1 FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域说明
! }3 k+ [5 i$ L5 E: ?
% H' t' p9 L/ k' e$ P
FSMC 提供了如下特性以控制 NOR Flash/SRAM: ; N) w/ {3 X) l! f
● 选择将要用于映射 NOR Flash/SRAM 的存储区域:有四个独立的存储区域可用来与NOR Flash/SRAM/PSRAM 接口,使用单独的片选引脚选择每个存储区域。 ! o$ b2 Z- k, v
● 启用或禁用地址 / 数据复用特性 ! h6 r# b! q# V5 q* a, s
● 选择要使用的存储器类型:NOR Flash/SRAM/PSRAM 8 c4 `) f- L9 I8 q$ H/ i2 R
● 定义外部存储器数据总线宽度:8/16 位 % l9 m" L# z$ _4 ]) T. P" L
● 对于 NOR Flash 同步存储器,启用或禁用突发访问模式 + F4 j, O. ^: p0 A
● 配置等待信号的用法:启用 / 禁用、极性设置、时序配置 0 Y/ S# r' G6 }$ W, p0 Y) E
● 启用或禁用扩展模式:此模式用于为读写操作使用不同的时序配置来访问存储器。
+ H8 K* w6 m: c- W6 \1 p6 q
3 _4 S$ M9 l% X因为 NOR Flash/PSRAM 控制器支持异步和同步存储器,所以用户应根据存储器特性,仅选择有用的参数。
: H1 y0 b1 _. A) x/ e: h3 G

! p; m% y* c1 [5 b9 _5 YFSMC 还提供了对多个参数编程,以正确与外部存储器接口的可能。取决于存储器类型,一些参数会用不到。
5 a7 M( Y! d" f" f# x
9 h: p. r2 G  u2 K! O& N; m若使用了外部异步存储器,则用户必须根据存储器数据手册中规定的 AC 时序信息,计算并设置下列参数:
8 Y; \3 ^3 P1 j. B● ADDSET:地址建立时间 ! \2 |- m( \* ], K* ^
● ADDHOLD:地址保持时间
9 C% `! f/ f* u' _3 l3 D8 j● DATAST:数据建立时间
1 Q+ x8 F" h5 H% S7 r● ACCMOD:访问模式 1 ]/ Q- x! R% @& A7 ^
8 l, ]; i4 v* q
此参数可让 FSMC 灵活地访问多种异步静态存储器。若存储器支持此类特性,则有四种扩展访问模式可使读存储器与写访问同时使用不同时序。
. Q. N# _: a2 A2 z- p& O
: Q5 p( v, ^2 k4 _& z! n. a
当启用扩展模式时,FSMC_BTR 寄存器用于读操作,FSMC_BWR 寄存器用于写操作。" g# T5 n. r1 v2 W; ]) v+ A" g! E
' I# u. T0 U& U" L
当使用同步存储器时,用户必须计算并设置如下参数: 3 w( s7 t: q# a3 V6 N/ \
● CLKDIV:时钟分频比
  @- y* ~9 k% t- e● DATLAT:数据延迟 : ]& _2 k: g. l( Z$ T" A1 n* l
0 Q1 W' L5 ~7 L% Y# B2 ?+ j
请注意,若 NOR Flash 支持此模式,则读操作可为同步,而写操作一般为异步。 7 o4 r  }$ c, ]; j; @2 S+ a
) Q6 Y$ l( ~/ Q$ @. m& M- Y  p
当编程同步 NOR Flash 时,该存储器会自动在同步和异步模式间切换,因此在此情况下,必须正确设置所有参数。 5 m4 Y% Q1 ^: X6 q+ m7 z

+ o3 d. H  ^& s& U4 w, i! S图 1 和图 2 显示了在典型 NOR Flash 访问期间的不同时序。
- S! d1 i" q5 @- V
) e' x4 v0 Q. d6 ?
1.png
8 t3 K6 U- F8 n0 L+ N7 r
...........

) \( L/ Q- w' \2 T
想了解更多,请下载原文阅读
8 p$ ?/ P8 S7 T6 L6 e1 |
收藏 评论2 发布时间:2019-4-8 12:56

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2个回答
一代睡神的崛起 回答时间:2019-4-8 15:08:29
谢谢分享,已经在用了
Kevin_G 回答时间:2019-4-10 14:48:44
谢谢,学习下
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