STM32学习笔记 | 片内FLASH读写失败问题分析

FLASH，指Flash Memory，是一种非易失性存储器（闪存），掉电能正常保存数据。

STM32的存储器通常包含内部SRAM、内部FLASH，部分系列还包含EEPROM。其中FLASH通常用于存储代码或数据，可被读写访问。

5 v/ l4 _& M1 @2 J

STM32 FLASH 基础内容

STM32的FLASH组织结构，可能因不同系列、型号略有不同。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一页大小只有1K，而F1大容量一页有2K。

还比如有些系列以扇区为最小单元，有的扇区最小16K，有的128K不等。

本文主要结合F4系列来描述关于FLASH的相关内容。

& X9 \! J5 ]$ X" I$ [

1.Flash 结构

3 P* ?% T9 @% S6 T; Z! {

通常Flash包含几大块，这里以F40x为例：

※       主存储器：用来存放用户代码或数据。

※       系统存储器：用来存放出厂程序，一般是启动程序代码。

※       OTP 区域：一小段一次性可编程区域，供用户存放特定的数据。

※       选项字节：存放与芯片资源或属性相关的配置信息。

& l3 O- Y- O) U$ }3 w$ |4 a0 c

2.Flash 常规操作

Flash 读、写（编程）、擦除：

※       128 位宽数据读取

※       字节、半字、字和双字数据写入

※       扇区擦除与全部擦除

（提示：不同系列可能存在差异，比如还有字节读取，页擦除等）

Flash 读、写保护：通过配置选项字节实现。

2 x( t. [0 z( u& P7 K

3.Flash 容量

9 q/ Q; V: G' `

STM32的Flash容量出厂已经决定，可根据型号得知容量大小。

4.存储器端格式

. Q# z- H) {3 L' j" @+ L

目前STM32存储器组织结构默认为小端格式：数据的低字节保存在内存的低地址。

更多内容请查阅芯片对应的参考手册。

9 E% g9 H$ t$ J" N

FLASH 选项字节

" N( `: y- G9 [5 f) f

STM32内部Flash具有读写保护功能，想要对Flash进行读写操作，首先要去除读写保护，读写保护通过配置选项字节完成。

配置选项字节，常见两种方式：1.软件编码；2.编程工具；

1.软件编码

比如STM32F4系列标准外设库库提供函数：

1. <font face="微软雅黑">void         FLASH_OB_Unlock(void);
   ! k- q& l: r+ D$ h9 e
2. void         FLASH_OB_Lock(void);
   
3. void         FLASH_OB_WRPConfig(uint32_t OB_WRP, FunctionalState NewState);
   
4. void         FLASH_OB_WRP1Config(uint32_t OB_WRP, FunctionalState NewState);
   ) h" Z1 y5 i+ h9 p6 \5 q1 [  l
5. void         FLASH_OB_PCROPSelectionConfig(uint8_t OB_PcROP);
   8 \  w5 [$ Q1 H0 E
6. void         FLASH_OB_PCROPConfig(uint32_t OB_PCROP, FunctionalState NewState);
   
7. void         FLASH_OB_PCROP1Config(uint32_t OB_PCROP, FunctionalState NewState);
   
8. void         FLASH_OB_RDPConfig(uint8_t OB_RDP);
   
9. void         FLASH_OB_UserConfig(uint8_t OB_IWDG, uint8_t OB_STOP, uint8_t OB_STDBY);
   5 I; ~5 h1 k* f6 t& I  [
10. void         FLASH_OB_BORConfig(uint8_t OB_BOR);
    
11. void         FLASH_OB_BootConfig(uint8_t OB_BOOT);
    
12. FLASH_Status FLASH_OB_Launch(void);
    / e( j: p1 Y9 S( k
13. uint8_t      FLASH_OB_GetUser(void);
    
14. uint16_t     FLASH_OB_GetWRP(void);
    
15. uint16_t     FLASH_OB_GetWRP1(void);
    
16. uint16_t     FLASH_OB_GetPCROP(void);
    
17. uint16_t     FLASH_OB_GetPCROP1(void);
    9 ?$ J5 `  V( q9 G- @4 c" i4 e  `
18. FlagStatus   FLASH_OB_GetRDP(void);
    
19. uint8_t      FLASH_OB_GetBOR(void);</font>

复制代码

1 |# W# G' s$ ]5 F( D& T: t

软件编码通过调用这些函数接口就可以配置选项字节。

  e1 D9 g' w7 I9 M3 Q

2.编程工具

% B8 R! \- @0 e) W' q4 c: p+ `

比如STM32CubeProg编程工具：

配置STM32选项字节，还可通过ST-LINKUtility、STVP等类似工具进行配置。

提示：不同型号的STM32选项字节可能略有差异。

FLASH 读写擦除操作

1 f: L/ B; h9 _+ R7 N" `0 m

STM32内部Flash和其他外部Flash类似，支持读、写、擦除等常规操作。对内部Flash操作之前通常需要解锁、去保护等操作。

比如：

1. <font face="微软雅黑">FLASH_OB_Lock();
   0 z& T& y% S$ H: |5 I0 u
2. FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_All, ENABLE);
   ( U2 o8 G, p- P: J+ ]" k5 v
3. FLASH_OB_PCROPConfig(OB_PCROP_Sector_All, ENABLE);</font>

复制代码

$ z- q7 L+ x. F7 N" L

1.读数据

1 L  K& {1 o9 K0 G2 H

读取内部Flash数据通常有两种方式：

※       通过程序（编码）读取

※       通过外部（编程）工具读取

' k/ E$ B9 D; X3 W/ Y: k

程序（编码）读取：

1. <font face="微软雅黑">uint32_t uwData32 = 0;uint32_t uwAddress = 0x08001000;uwData32 = *(__IO uint32_t*)uwAddress;</font>

复制代码

外部编程工具读取：

读取前提：没有读保护，设置好读取地址，长度、数据宽度等。

2.写数据

往STM32内部Flash写数据和读数据类似，但写数据地址不能有数据，也就是写之前要擦除数据。

所以，相对读数据，通常写之前需要一些额外操作，比如：

1. FLASH_Unlock();
   ) y- Y5 j9 U" k& D
2. FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
   
3.                 FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

复制代码

通过工具写数据，就是我们量产时说的下载数据，正式一点说法叫编程。

. f1 J. n( w  ^+ x7 v2 Q8 y

3.擦除数据

擦除数据通常分擦除页、扇区、整块，擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。

提示：该部分内容建议参考官方提供的Demo（标准外设库和HAL都有基本例程）

FLASH 常见问题

STM32内部Flash主要用途是存储程序代码和数据。操作内部Flash要慎重，一旦操作不当就有可能会破坏整个程序。

问题一：编程（写数据）地址非对齐

写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。

比如：遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确，0x08001001错误。

提示：不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等。

解决办法：通过“取余”判断地址。

8 s/ S7 q! A$ @# b7 c" i  [

问题二：编程地址数据未擦除

写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。

我们擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。

解决办法：通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。

问题三：擦除时读取数据

STM32内部Flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据就会出现失败。【双BANK模式除外】

解决办法：通过标志判断写/擦除操作是否完成。

问题四：电压不稳定写入失败

处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对STM32内部Flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。

操作Flash的最低电压既与工作频率有关，也与STM32型号有关（具体需要看数据手册）。

解决办法：通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察！！

复盘一下

▼FLASH 基础内容：结构、常规操作、容量、大小端格式；

▼FLASH 选项字节：通过软件编码和编程工具配置；

▼FLASH 读写擦除操作：常规程序读写操作、工具的读写操作；

▼FLASH 常见问题：编程地址非对齐、数据未擦除、擦除同时读取数据、电压不稳定写入失败。

4 Y6 V5 L1 o% y  Y* x# T6 L) D" m9 |

文章出处： STM32