STM32的FLASH和SRAM的使用情况分析

[复制链接]

STMCU-管管发布时间：2020-10-13 15:12

文章
文章封面:	-
文章简介:	-

STM32的FLASH和SRAM的使用情况分析

前言

STM32片上自带FLASH和SRAM，简单讲FLASH用来存储程序的，SRAM是用来存储运行程序中的中间变量。本文详细分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情况。
本文开发工具: keil5
芯片: STM32F105VCT6

FLASH和SRAM介绍

FLASH存储器又成为闪存，它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器，但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。

SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。STM32F1系列可以通过FSMC外设来拓展SRAM。

注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。

stm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不相同的，可在datasheet中查看如下图：

编译结果分析

在keil中编译结果如下图：

打开生成的map文件拉到最后可看到如下：

编译结果里面几个的含义
Code：代码空间，本质是ARM指令（ FLASH）。
RO-data：即 Read Only-data，表示程序定义的常量，如 const 类型（ FLASH）。
RW-data：即 Read Write-data，非0初始化的全局和静态变量占用的RAM大小，同时还要占用等量的ROM大小用于存放这些非0变量的初值（FLASH+RAM）。
ZI-data：即 Zero Init-data， 0初始化的内存区的大小（该区域3个用途：0初始化的全局和静态变量+堆区+栈区）(RAM)。
由上可知：
程序占用FLASH=Code + RO-data + RW-data 即map文件中ROM size
程序占用RAM = RW-data + ZI-data 即map文件中RW size

常见的俩个疑问：
1、RW-data为什么会即占用Flash又占用RAM空间？
由前文知道RAM掉电数据会丢失，RW-data是非0初始化的数据，已初始化的数据需要被存储在掉电不会丢失的FLASH中，上电后会从FLASH搬移到RAM中。

2、为什么烧录的镜像文件不包含ZI-data呢？
我们都知道在烧写程序的时候，需要烧写bin文件或者hex文件到STM32的flash中，被烧写的文件称为镜像像文件image。image的内容包含这三个Code 、 RO-data 和 RW-data。
通过第一个问题大家应该有所理解，因为ZI数据是0，没必要包含，只要在程序运行前把ZI数据区域一律清零即可，包含进去反而浪费Flash存储空间。