STM32f030

0 h2 W4 C6 ~# J

1. FLASH擦写时间

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$ v9 n8 ^2 M6 I; m9 O8 t/ ~

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

. k4 B: I9 o+ W* R只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

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STM32F103x8, STM32F103xB
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1. FLASH擦写时间和电流
& }0 O4 ^& M+ p( t  }5 C1 @

  

0 Q' y/ v6 B4 n; h% u9 Z

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

- T* d# O4 `6 y( b1 R擦写1万次，保存20年。

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- N7 k- Y: l6 l4 M' i6 S* z* WSTM32F427xx STM32F429xx
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, I& ?* F. ~6 r8 O" I6 Y

1. FLASH擦写电流

- l% y9 C' b" n& p9 {% I

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2. FLASH擦写时间

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编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

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3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

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6 A  F. \  }# G( Q1 M$ R

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4. FLASH擦写次数和数据保存年限

擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

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