有人使用STM32L476芯片开发产品，他想在内部FLASH空间特定位置写些数据，发现总是失败，并补充说之前使用STM32F1系列、STM32L1系列却没有类似问题。

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其实，针对STM32L4的内部FLASH编程，跟STM32F1/L1系列是不同的，其中STM32F1的内部FLASH编程仅支持半字编程，STM32L1的内部FLASH编程主要支持字编程或半页编程。而STM32L4系列的内部FLASH编程所支持的则是64位双字编程或以32个双字为单位的快速行编程。

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对于少量的零星数据编程自然会选择64位双字编程模式，即每次改写Flash内容必须以64位为单位。硬件还针对这64位数据做了8位的ECC，我们用户看不到而已。下面简单介绍下64位双字编程过程。

在基于64位双字编程时，如果只是就字节或半字进行编程则会产生错误；或者尽管使用双字编程却没有遵循双字地址对齐【8字节对齐】时也会产生错误。

这里我使用ARM MDK V2.9开发环境，借助于STM32L476_NUCELO开发板演示一下对内部FLASH某个位置写几个64位数据的实现过程【写之前相关区域已经被擦除过了】。

我通过IDE将内部FLASH最后的0x1000地址空间预留出来用于填写些数据，即我将内部FLASH分成2块，将最后的0x1000的FLASH空间划了出来。如下图所示：【这里的芯片是STM32L476RGT6，下面只演示写三个64位数据。】

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我将特定数据区定义在内部FLASH空间0x80ff000开始的地方。

#define Address_Const     (0x80FF000)

另外还定义了一个64位地址指针和一个64位数据数组。

相关执行参考代码如下:

代码是基于STM32Cube库来组织的，连续写了三个64位的数据到指定的FLASH空间。其中主要涉及到一个FLASH编程函数HAL_FLASH_Program(),它有三个变量，分别是编程模式，待编程的FLASH地址以及用于编程的数据。

代码比较简单，对欲编程的地址做检查确认，然后进行FLASH编程开锁，清除可能存在的各种挂起状态标志，进行双字编程，之后对FLASH寄存器访问进行上锁。

现在基于上面的代码看看运行结果：

我们可以看到在指定的FLASH地址空间写三个64位数据。

在上面介绍64位双字编程规则时，可能有人会问，如果我遵循了8字节地址对齐，待写的数据也不是字节或半字，而是一个字会怎么样呢？那你也得凑成2个字来写，方能完成一次写操作。

比方基于上面测试代码，仅仅将每次待写的数据改为32位字，最后结果便是高位字被填0了。就像下面这样：

好，关于STM32L4系列内部FLASH双字编程模式就介绍到这里。整个过程应该说不难，只要注意到各个细节就好。

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趁此再抛砖引玉似地做些提醒：STM32系列众多，各个系列的内部FLASH编程模式以及页或扇区的容量规划、地址安排往往各有差异，在FLASH编程时千万别跟着惯性或感觉走。还有，不同的编程模式往往对芯片的电源电压有不同的要求，这点也要特别特别特别注意。

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围观

L4的最大的坑是FAST_PROGRAM要全部擦除
( C' H# P3 e, C) {) F  H9 s而且我发现即使ST推出了自家的CubeIDE，不过培训还是教程都是基于IAR/Keil，自家的东西没多少存在感

直接烧不用擦，都是自动的呀