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闪存编程和擦除操作以及访问延迟

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蝴蝶豆

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2021-3-3
发表于 2021-2-19 12:38:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
尊敬的各位大佬:

平台: stm32f030cc
我在手册(DM00091010)中有关于flash介绍的以下问题:

问题1:
手册(3.2.2)说:
“相反,在对闪存进行编程/擦除操作期间,任何尝试读取闪存的操作都会使总线停顿。一旦编程/擦除操作完成,读取操作将正确进行。这意味着将提取代码或数据正在进行编程/擦除操作时无法进行”

-这里“这意味着在进行编程/擦除操作时无法进行代码或数据提取”,我的问题是,似乎指令提取也被暂停了吗?如果是,则CPU不执行指令,那么中断例程也会延迟执行吗?这句话到底是什么意思?


问题2:

Latency
000:零等待状态,如果SYSCLK≤24 MHz
001:如果24 MHz <SYSCLK≤48 MHz,则处于一种等待状态

-如果CPU频率为48Mhz,则Latency = 1此时,cpu何时等待1个周期?
a 如果启用了预取缓冲区,则cpu是否为空会等待一个周期?
b 如果禁用了预取缓冲区,那么cpu何时等待1个周期?

非常感谢!

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