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一. 应用背景 当客户遇到存储小量的数据，同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置EEPROM，STM32提供了Backup SRAM(4K)和Flash模拟EEPROM两种方案来解决该问题。但是，Backup SRAM需要提供备用电源，Flash模拟EEPROM又比较浪费空间（存放复杂的结构体数据也不方便）。如果数据擦鞋频率较低（Flash擦写次数有限），可以考虑直接将数据存放在Flash中。本文提供了如何在IAR6.5实现该操作。 问题详细描述以及ST官方解答见文档： 
å¨IAR 6.5ä¸å¦ä½å°æ°æ®åæ¾è³flashä¸.pdf
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