日研究人员:当金属铂压至2纳米时会体现半导体特性

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日本研究人员最新研究发现,金属 铂 制成只有2纳米厚的超薄膜时,可以拥有类似硅等 半导体 的特性。研究人员认为,这一发现挑战了对于半导体材料的传统认知,有助于推动相关领域发展。

传统意义上,金属和半导体被严格区分,金属一般导电性能好,而半导体介于绝缘体和导体之间,导电性可受控制。用硅等常见半导体材料制造的晶体管广泛应用于各种电子设备中。

京都大学研究小组发现,在一种名为“钇铁石榴石”的磁性绝缘体上将重金属铂制成只有2纳米厚的超薄膜时,它可以像半导体一样,通过外部电压控制电阻。

此外,研究人员还发现铂能够大幅调节和控制“自旋轨道耦合”这一效应。自旋轨道耦合是指粒子自旋和轨道运动之间的相互作用,在自旋电子学等研究中扮演关键角色。半导体或其他新材料的研究常常会涉及这一效应。

研究小组称,这一发现与传统的固体物理学常识不符,将有助于电子学和自旋电子学领域的发展。这一研究成果已发表在新一期英国《自然·通讯》杂志上。

 

 

 

 

 

 

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