ST推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器,为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护

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- 有源米勒钳位选配,提升高速开关抗干扰能力
 
 
中国,2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。
 
STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通信号出现为止。
 
STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。
 
stst
 
STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出,即使驱动大功率逆变器,也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在高开关频率下确保PWM控制精确,满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力,使其能够防止耗能的杂散开关操作。
 
这些器件内置1700V电气隔离功能,可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)控制器的物料成本。
 
这些产品集成全面的保护功能,其中,欠压锁定(UVLO)可在电源电压过低时保护电源开关。此外,过热保护和硬件互锁可以防止半桥电路中的高边/低边交叉导通;待机模式可在节省电源的同时将输出保持在安全状态。
 
EVALSTGAP2SCM评估板提供了一个快速、简便的开发方法,方便设计人员快速开始设计。
 
STGAP2SCM现已上市,STGAP2SM于2018年第四季度上市,采用紧凑型工业标准SO-8功率封装。
 
 
 
 
 
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