意法半导体推出1500V耐压功率MOSFET,端子间距扩大到4.25mm

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意法半导体于2016年8月3日发布了端子间距达到4.25mm的+1500V耐压的功率MOSFET“STFH12N150K5”。采用TO-220 FullPAK(TO-220FP)封装。原产品的端子间距为2.54mm,新产品扩大到了4.25mm。而且,新产品不需要在端子间填充树脂来防止由垃圾及灰尘等引起的电弧放电,也不需要引线成型及绝缘套管等工艺。电源厂商利用该产品更容易满足安全标准,同时可以将电磁场上的故障发生降至最小。新产品适用于液晶电视及电脑等配备的开关电源。

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新产品为采用超结(SJ)结构的功率MOSFET,利用意法半导体(ST)独有的“MDmesh K5”技术制造,属于n通道型。最大漏电流为7A。当栅极-源极间电压为+10V时,导通电阻为1.9Ω(最大值)。该公司称,“单位面积的导通电阻属于业内最低水平”。总栅极电荷为47nC(标称值)。“FoM(Figure of Merit、导通电阻与总栅极电荷的乘积)在同类产品中最出色”(意法半导体)。输入电容为1360pF(标称值)。输出电容为80pF(标称值)。反馈电容为0.7pF(标称值)。栅极电阻为3Ω(标称值)。工作接合部温度范围在-55~+150℃。价格未公布。

此外,+600V耐压的功率MOSFET和+1200V的功率MOSFET方面,也准备了端子间距为4.25mm的TO-220FP封装产品。+600V耐压产品是利用意法半导体独有的“MDmesh M2”技术制造的,有最大漏电流为8~34A的多款产品。+1200V耐压产品是利用“MDmesh K5”技术制造的。价格均未公布。

 

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意法半导体/ST/STM

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