意法半导体推出可提高光伏发电逆变器效率的1200V耐压功率元件

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意法半导体公司(STMicroelectronics)12月1日发布了光伏发电逆变器(PCS)用的1200V耐压新型绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
 
 
1200V耐压的新型绝缘栅双极晶体管封装外观。
 
该IGBT为进一步降低通态电压,减少开关损耗,提高了沟槽栅场终止结构水平。由此可大幅提高逆变器的坚固性和转换效率。
 
通过优化导通特性和断路特性,并降低开关侧发生的断路损耗,使之成了最适合硬开关电路(可直接切断及导通直流电的开关)的绝缘栅双极晶体管。因能使切断电路时的超电势最小化及消除振荡,因此不仅可减少电力损失,还可简化电路设计。
 
工作温度范围比原有产品高,最高可达175℃。在150℃下工作时的耐短路时间为10微秒(μs:百万分之1秒)。
 
目前该产品已经开始量产,支持40A的“STGW40M120DF3”等3个品种采用TO-247封装,“STGWA40M120DF3”等3个品种采用长导线型TO-247封装。STGW15M120DF3的单价为,批量购买1000个时大约2.80美元。
 
 
 
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