意法半导体首次在日本公开1200V耐压SiC MOSFET晶圆和评估板

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 意法半导体日本公司在“日本尖端科技展(TECHNO-FRONTIER)2014”(7月23~25日,东京有明国际会展中心)上,公开了意法半导体开发的SiC MOSFET“SCT30N120”(展区编号:1B-301)。据该公司介绍,SCT30N120为1200V耐压产品,特点是温度特性比竞争产品出色。

 
       据展位解说员介绍,目前市场上已经出现了两家公司的竞争产品,但接合温度都只有150℃,而意法半导体的产品的结合温度为200℃,而且即便温度升高导通电阻也不容易上升。
       从这位解说员展示的导通电阻随温度升高的变化的图表可以看出,竞争产品在温度达到150℃时,导通电阻会上升至25℃时的1.5倍或1.9倍,而意法半导体的产品只会上升至1.1倍。据介绍,除了元件本身的特性优良之外,还采用了基于新材料的TO247封装(该公司称之为“HiP247”),因此才实现了如此出色的温度特性。
 
       在此次展会上,意法半导体日本公司还展出了两种与SCT30N120有关的“首次在日本公开的产品”。一是集成有该晶体管的4英寸晶圆。该公司表示将从2014年9月开始用该晶圆进行量产,计划最早在2015年内转为6英寸晶圆量产体制。
 
       另一个首次在日本公开的产品是使用了新SiC MOSFET的评估板。也就是由一个SiC MOSFET和两个SiC肖特基二极管“STPSC6H12”(耐压为1200V、正向电流为6A)构成的输出为4kW的升压型DC-DC转换器。解说员介绍说,“其特点是能够实现100kHz的高频率开关,因此可以使用小型线圈”。
 
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