ST二极管专利技术可加速充电速度

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  意法半导体(STMicoelectronics;ST)的新系列场效整流二极体(FERD,Field-Effect Rectifier diodes)解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记型电脑转换器等设备的设计人员在不使用成本更高的同步整流二极体前提下满足要求最严格的能效标准。
Energy Star 6.0 标准用于测试传统萧特基二极体(Schottky diodes)在充电器和笔记型电脑转换器内达到的性能极限。同步整流二极体虽然性能优异,但是成本却比传统萧特基二极体高出很多。由于符合离线交换式电源节能标准的能效要求,成本亦比同步整流二极低大约30%,意法半导体的 FERD 系列整流二极体成功引起了市场的关注。

输出电流15A至2x30A,输出电压45V至60V,场效整流二极体采用意法半导体的单位面积内VF/IR比最好的专利技术。例如,30A的场效应整流二极体正向电压降比传统30A萧特基二极体降低大约140mV,同时漏电流保持不变。

在特定封装散热性能下,因为正向电压降更低,漏电流处理得更好,意法半导体技术提高了封装的输出电流容量。新产品拥有许多优势,例如加速智慧型手机和平板电脑的充电速度,缩减笔记型电脑充电器的尺寸和重量,由于场效应整流二极体的工作温度更低,有助于延长产品使用寿命。

FERD 技术还非常适用于其它设备和系统,例如汽车应用中的飞轮(freewheeling)二极体或电池反接保护;电信电源中的 OR-ing 二极体;产业系统中的整流二极体,为满足不同市场的需求,该系列产品提供各种额定电压和电流的场效应整流二极体供用户选择。

目前已上市的场效应整流二极体共有12款,提供TO-220AB、 DPAK和PowerFLAT 5 x 6三种封装。

 

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