意法半导体(ST)“无拖尾电流”600V IGBT突破功率设计限制

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中国,2013年12月13日 ——意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT[IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管)]具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8V,最大工作结温高达175°C,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI)[EMI,Electromagnetic Interference(电磁干扰)] 设计。

通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性,意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄,这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式(trench-gate)场截止型(field-stop)工艺降低了热阻,最高结温高达175°C,同时实现了对饱和电压等参数的严格控制,允许多个IGBT安全并联,提高电流密度和通态能效。

全新的IGBT非常稳定,具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复(soft-recovery)二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用,意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。

意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产,采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。如需了解更多信息,请访问www.st.com/igbt

关于意法半导体
意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
意法半导体2012年净收入84.9 亿美元。详情请访问公司网站www.st.com

 

 

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