意法半导体FD-SOI技术配备Memoir嵌入式存储器

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比较:体校晶体管和FD-SOI晶体管

元器件交易网讯 11月7日消息,据外媒 Electronicsweekly报道,Memoir Systems宣布已采用其算法内存技术为意法半导体独有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术,配备嵌入式存储器。

意法半导体负责设计支持和服务的副总裁Philippe Magarshack说:“就FD-SOI本身而言,FD-SOI配备了ASIC和SoC设计工具,从而实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。而且较传统制造技术,FD-SOI技术可在大幅提升性能的同时大幅降低功耗,因此ST-Ericsson选择采用意法半导体的FD-SOI技术设计未来的移动平台。“

Memoir Systems作为第三方知识产权进一步表示:“我们正在让FD-SOI更具吸引力,并演示其简单的移动特点。“

意法半导体ST将是FD-SOI技术的第一个半导体供应商。作为其独有的 FD-SOI技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。同时,FD-SOI是一种扩展和简化现有平面、体硅制造方法的新技术。而FD-SOI晶体管相比同等采用传统CMOS工艺的晶体管,拥有更高的制造过程工作频率,这源于FD-SOI技术提高了晶体管的静电特性、缩短了沟道长度。

Memoir首席执行官Sundar Iyer说:“内存技术的不断突破缩短了设计时间,也提高了设计性能,这使我们的算法内存技术有能力内嵌入FD-SOI晶体管,这对于我们来说是一种承诺,这对我们和我们的客户都是很重要的。期待FD-SOI技术更高性能突破,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。”

 

 

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