联电与ST合推65奈米CMOS影像感测器BSI技术

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     晶圆代工大厂联华电子(UMC,以下简称联电 )日前宣布,与意法半导体( ST )合作65奈米 CMOS影像感测器背面照度(BSI)技术。双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式(FSI)制程,奠基于之前的成功经验,此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。

      此1.1um像素间距的BSI制程,将于联电新加坡Fab 12i厂展开研发,并将以开放式平台模式供客户采用,以协助客户迎接高解析度与高画质(千万像素以上)尖端智慧手机世代的来临。联电负责12吋厂营运的副总颜博文表示:「我们很高兴与意法半导体携手研发此次的专案,扩展与这位长期伙伴的合作关系。此次协议贯彻了联华电子开放式平台的合作策略,以提供客户导向晶圆专工解决方案,来因应日益攀升的市场需求。联华电子期待借着增加此CIS BSI制程,在未来更进一步地强化我们全方位的技术组合。」

      联华电子在CIS领域的优异实力,包含现有的8吋与12吋CIS制造解决方案,以满足多元化的市场需求。此次新开发的65奈米CIS技术,将具有BSI制程足以因应长期需求的优势,除了可用于现今应用产品之外,预期未来也可应用于车用电子与工业领域。65奈米BSI制程系针对快速兴起的应用产品所推出,诸如智慧型手机、平板电脑、高阶监视器、以及消费型数位相机/数位单眼相机等,都将可在取得意法半导体的授权后采用。

 

 

 
 
 
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