意法的90纳米STM32微控制器内置独特闪存加速器

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意法半导体宣布取得两项重大技术进展,促使市场成功的STM32系列微控制器的性能和功耗获得进一步提升,这两项进展分别是:内嵌90纳米制程闪存的微控制器问世;推出业内首款针对工业标准的ARM Cortex-M3内核优化的自适应实时(ART)存储器加速器。

意法半导体的首批采用90nm嵌入式闪存制程生产的STM32微控制器的运行速度更快,功耗更低,外设集成度更高,片上存储密度更大。90nm嵌入式闪存技术的性能已经在智能卡和汽车电子IC上得到实证。意法半导体已于2009年发布了内嵌90nm 闪存的微控制器的样片。

由于ARM Cortex-M3的性能高于闪存技术,在运行频率较高时,处理器必须等待闪存,意法半导体独有的ART存储器加速器可平衡这一固有的性能差距。现在,在运行频率达到120MHz时,CPU无需等待闪存,提高系统的总体速度和能效。

为了在这个频率上释放处理器的150 DMIPS的全部性能,加速器实现了指令预取队列和分支缓存,从闪存执行程序的速度达到120MHz,零等待状态。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz频率以上才能超越,但是高频率换来高功耗和高散热量。

现在有了这种性能,开发人员可以在微控制器上执行更多的系统功能,无需使用更加昂贵的微控制器或伴随DSP芯片。例如,在多媒体应用中,客户将能够实现音频编解码、视频处理、数据加密、数字过滤和多协议网关,剩余的资源足以处理其它任务。

最新采用90nm制程和ART存储器加速器的多款STM32产品已通过“嵌入式微处理器测试基准协会”的CoreMark 测试。CoreMark测试结果证明,在时钟速度100MHz时,STM32的执行速度比Cortex-M竞争产品快8%。性能优势能够保持在120MHz。CoreMark分析报告证实,STM32的动态功耗仅为188µA/MHz (98µA/CoreMark)。这相当于在120MHz时消耗 22.5mA电流(从闪存执行代码,ART加速器开启,所有外设关闭)。

 

 

 

 
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