ST最新MDmesh V功率MOSFET,实现业内最低的单位芯片面积导通电阻

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    功率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下,采用紧凑型功率封装,使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。

 

 

 
 

 

 

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