中国南车建成大功率半导体产业基地

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      9月8日,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。

   为满足国民经济发展的急切需求,打破国外公司的市场垄断,推动大功率半导体产业上水平、上规模,中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司(南车时代电气)依托公司良好的技术基础,总投资近3.5亿元,于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设,历经22个月后实现正式投产。

   位于湖南株洲的生产基地总面积超2万平方米,部分净化级别达到了100级,由于产品对生产环境的要求极其苛刻,配套设施如空气净化系统、温湿度控制系统、纯水处理系统等方面采用了世界一流的技术装备,并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺,是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。

   该基地主要生产5至6英寸全压接高压大电流双极器件、IGCT及其配套二极管、IGBT封装,计划于2013年全面达产,达产后将形成年产5万只6英寸半导体器件的生产能力,年产值达6亿元。此次,他们已经完成大功率双极器件的配套生产能力,具有重要战略意义的核心元件 IGBT封装项目也正在实施,预计年底可以投产。

   作为我国最早开发大功率半导体器件的单位之一,南车时代电气通过技术引进与自主创新相结合,已经发展成为我国最大的铁路机车大功率半导体器件研发制造基地。

中国南车建成大功率半导体产业基地
2009-09-15 10:19:04 作者: 来源:科技日报
关键字: 半导体器件 IGBT 二极管
9月8日,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。

   为满足国民经济发展的急切需求,打破国外公司的市场垄断,推动大功率半导体产业上水平、上规模,中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司(南车时代电气)依托公司良好的技术基础,总投资近3.5亿元,于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设,历经22个月后实现正式投产。

   位于湖南株洲的生产基地总面积超2万平方米,部分净化级别达到了100级,由于产品对生产环境的要求极其苛刻,配套设施如空气净化系统、温湿度控制系统、纯水处理系统等方面采用了世界一流的技术装备,并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺,是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。

   该基地主要生产5至6英寸全压接高压大电流双极器件、IGCT及其配套二极管、IGBT封装,计划于2013年全面达产,达产后将形成年产5万只6英寸半导体器件的生产能力,年产值达6亿元。此次,他们已经完成大功率双极器件的配套生产能力,具有重要战略意义的核心元件 IGBT封装项目也正在实施,预计年底可以投产。

   作为我国最早开发大功率半导体器件的单位之一,南车时代电气通过技术引进与自主创新相结合,已经发展成为我国最大的铁路机车大功率半导体器件研发制造基地。
 

 

 
 
 
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