电力电子业突破技术瓶颈任重道远

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   近年来,我国电力电子器件产业技术水平不断提高,应用领域日益广泛,已逐渐成为国民经济发展中基础性的支柱产业之一。随着电力电子器件产业日益受到国家的重视,国家对其生产企业和科研机构的扶持力度也在逐步加大。然而,在科研和产业化不断取得突破的同时,全行业仍面临诸多困难,尤其是关键技术受制于人,严重影响行业持续发展。

得到政策扶持

电力电子器件产业直接关系到变流技术的发展与进步,其技术水平成为建设节约型社会和创新型国家的关键因素。

随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等领域技术发展和市场需求的增加,对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求非常紧迫,而且需求量也非常大。预计国内每年需要5英寸、6英寸晶闸管、IGCT、IGBT的总量将达到50万只以上。然而目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口。

以IGBT为例,全球IGBT主要供应商集中在英飞凌、三菱、ABB、富士等少数几家公司。目前,我国只有少数小功率IGBT的封装线,还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此,在技术上长期受制于人,这对国民经济的健康发展与国家安全极其不利。

为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划,全面落实科学发展观,推进节能降耗,促进电力电子技术和产业的发展,根据国家发改委《关于组织实施新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知》,我国将实施电力电子器件产业专项政策,提高新型电力电子器件技术和工艺水平。

其主要内容包括:促进产业发展,满足市场需求,以技术进步和产业升级推进节能降耗;推动产、学、研、用相结合,突破核心基础器件发展的关键技术,完善电力电子产业链,促进具有自主知识产权的芯片和技术的推广应用;培育骨干企业,增强企业自主创新能力。

其主要支持的重点领域有:在芯片产业化方面,主要支持IGBT、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、快恢复二极管(FRD)、功率集成电路(PIC)、IGCT等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装。

在模块产业化方面,主要支持电力电子器件系统集成模块,智能功率模块(IPM)和用户专用功率模块(ASPM)。

在应用装置产业化方面,重点围绕电机节能、照明节能、交通、电力、冶金等领域需求,支持应用具有自主知识产权芯片和技术的电力电子装置。

仍需突破创新

在产业政策支持和国民经济发展的推动作用下,我国电力电子产业化水平近年来有很大提高。通过技术上的不断探索与追求,使其技术水平逐步与国际水平接近,尤其是在一些高端市场领域已经占有一席之地。例如西安电力电子技术研究所通过引进消化技术,产品已经在高压直流输电等高端领域批量应用。

 

 

 
 
 
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