STM32f030
& o) K4 g- C# Z/ N

1. FLASH擦写时间

8 [4 n; G# M& G0 w& J8 W5 l4 C. @

; c% g! {$ U, W) q6 l

' e4 z7 \9 {1 F. k

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。

6 ^+ E$ m, X5 L
: N1 q* Z% y. Z, {8 D3 B
! G( M  M% @5 f$ m! t
1 d; M  l- J' i0 ySTM32F103x8, STM32F103xB
+ Q3 `3 u, T" n4 Y5 i/ [5 l

1. FLASH擦写时间和电流

  

2. FLASH擦写次数和数据保存年限

& L- b/ u- s" o4 {擦写1万次，保存20年。

& s$ C! x9 l4 U3 Z8 K1 f, k  V

- g( A$ J  _% t" u
- K, Y0 U% v0 }
STM32F427xx STM32F429xx

1. FLASH擦写电流

2. FLASH擦写时间

6 G  l" ?0 X! t' [/ _

编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。

1 I. f3 `; x: b  l( @& ^, J
7 k5 t$ v% \- b  n+ ~6 k

4 W! _5 M1 F$ `$ C2 c

3. 使用VPP擦写时间（工厂模式下，64bit）

5 f; l6 h! x/ H* r5 p

9 M/ s9 m) `# \# h& O+ z

; a3 w' a3 d  Z7 ]

4. FLASH擦写次数和数据保存年限

5 J  ]. X! C$ _: F' W2 w擦写次数提高到1万次，基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储，比如1天要变化记录20次，则10000/20=500天，即将面临失效，导致整个产品报废。

, ^, D" [/ o2 I# j8 \; [1 C" m
! s1 r. h+ Z: N( S


7 N3 O; H: W& t( M" L. p

" K9 @: p; L7 [