使用的是HAL库。

没有使用官方的库，因此FLASH_ReadOutProtection() 不好使。

请参考文件“stm32f1xx_hal_flash_ex.h”和“stm32f1xx_hal_flash_ex.c”

toofree 发表于 2018-12-24 01:33
请参考文件“stm32f1xx_hal_flash_ex.h”和“stm32f1xx_hal_flash_ex.c”

非常感谢。这方法我用过，似乎不能完全禁止再次烧写。（烧写时会有提示写保护……）
是我 代码有问题吗？
//OB_RDP_LEVEL_2，在标准库里没有。我参照STM32F4的库，搬过来的。#define OB_RDP_LEVEL_2    ((uint8_t)0xCC)（~病急乱投医）。
//开启写保护，即：禁止写入；
                OptionsBytesStruct.OptionType         = OPTIONBYTE_WRP;
                OptionsBytesStruct.WRPState           = OB_WRPSTATE_ENABLE;
                OptionsBytesStruct.WRPPage            = FLASH_PAGE_TO_BE_PROTECTED;
                OptionsBytesStruct.RDPLevel                = OB_RDP_LEVEL_2;    //   OB_RDP_LEVEL_1
                if(HAL_FLASHEx_OBProgram(&OptionsBytesStruct) != HAL_OK)
                {
                        return 1;
                }

可能得研究一下Flash 写保护的意义

toofree 发表于 2018-12-25 10:07
可能得研究一下Flash 写保护的意义

非常感谢。从贴子里翻出来的……

    0xCC：级别2，禁止调试

把RDP配置成0xCC值时，会进入最高级别的读保护，且设置后无法再降级，它会永久禁止用于调试的JTAG接口(相当于熔断)。

学习了谢谢分享

toofree 发表于 2018-12-25 10:07
可能得研究一下Flash 写保护的意义

我才接触STM32两个来月，确实不懂……别人提醒，程序可以被恶意重新烧写……于是想到写保护……不知是不是这样的……