M95xxx EEPROM介绍 前言 以带标识页的M95M01-DF EEPROM为例, 介绍M95xxx系列EEPROM,包括内存组织、SPI接口时序、指令、读写时间、供电、写保护以及出厂参数等等。* @0 G' {1 V7 v+ O M95xxx EEPROM介绍 , p# j B' M& i3 p* H M95M01-DF特性介绍% B' X2 o$ h. F • 访问接口:SPI • 时钟速率:16MHz- K8 V" f* b! v2 @. P •内存组织 ·1Mbit(128KByte) · 页大小:256字节 • 写操作: ·页写时间5ms · 字节写时间5ms • 写保护设置: ·四分之一内存保护 ·一半内存保护4 ^1 ~; |" o6 M0 w9 t# S3 x · 整个内存保护5 a q7 w3 F6 [$ h5 a6 u6 P5 }. ` • 供电: · 对于M95M01-R,1.8V~5.5V。 ·对于M95M01-DF,1.7V~5.5V。 • 工作温度范围:-40~+85摄氏度8 B a& S/ G; | • 400万次写周期 l( C% g/ M6 w) O; z) H9 d • 200年数据保存时间0 T3 F3 ~7 ]/ ?, v. M •封装:SO8、TSSOP8、WLCSP+ L! Q1 T( z @ •Identification Page:256字节。Identification page用来存储应用程序的敏感数据,可以被永久锁存为只读模式。M95xx系列EEPROM分为带标识页和不带标识页的型号,根 据芯片编号来区分。 M95xx系列EEPROM命名规则 4 U4 o5 t1 b; x8 a, I 内存组织 引脚框图和信号描述 信号描述: • 串行数据输出Q:该信号用来从设备移出串行数据,数据在时钟下降沿移出。1 T+ D4 E! P i, q/ N# Q5 S • 串行数据输入(D):该信号用来输入串行数据到设备,当时钟上升沿时,被写入的指令、地址和数据的值被锁存。 • 串行时钟(C):SPI通信的时钟。 • 芯片选择(S ):当输入信号为低时,设备被选择。 • 保持(HOLD ):HOLD 可以用来暂停串行通信,低电平有效。. D( i2 f$ m6 r" `) Z0 R. q • 写保护(W ):对内存进行写保护配置引脚,在通过写指令操作内存过程中,要维持该引脚的电平不变。 • 供电(VCC):供电引脚。8 P @& f8 W; u/ h* z5 [" l • 地(VSS):接地引脚。 2 s% A& ~$ B3 `4 b1 R5 x# z/ K$ d SPI时序5 m7 C. r; E$ J8 ~ G M95M01支持SPI接口访问,支持以下两种模式: • CPOL = 0, CPHA = 0! Q- J* Z* J ~* D7 O7 j# R • CPOL = 1, CPHA = 1) J u; _; S" u& t. P3 s$ a2 E 对于这两种模式,一种模式是输入数据在串行时钟的上升沿锁存,另外一种模式是输出数据在时钟的下降沿有效。时序图如下图所示: 指令& q3 K+ s0 x/ i( F& h7 d5 g+ z 所有的命令在发送时需要高位在前,指令集如下表所示: , I3 v" e' u, _1 o& F0 l 写使能指令WREN" n n# O/ H- V& g 通过WREN指令来使能写使能的WEL位。 写禁止指令WRDI8 @) } X1 l8 I; F- o3 u: a0 p7 u8 m* V 写禁止指令WRDI用来复位WEL位,该为设置位0时禁止写或写状态寄寄存器命令来访问EEPROM。' v3 }. W* L l. a" k: z- y 读状态寄存器指令RDSR 读状态寄存器RDSR用来读状态寄存器,状态寄存器可以在任意时刻被读取,建议在发送一个新指令到EEPROM之前先检查写进度。状态寄存器地输出是连续的1个字节,从0到7位,如下图所示: 状态寄存器如下: • WIP位:写进度指示位,指示内存忙于在写周期中,该位为1则指示在写周期中忙,为0则空闲; • WEL位:该为设置为1时,内部的写使能开启;当设置为0时,内部的写使能禁止,此时任何的写或写状态寄存器指令被阻止访问。WEL位可以被以下几种情况复位:2 j3 _: P7 m0 w2 ~ M. m ·上电3 n% G" e) Z" o) B' }) v · WRDI指令执行完成 ·WRSR指令执行完成 ·WRITE指令执行完成* B1 z8 O ^$ \4 g ?- n8 G' g • BP1,BP0位:块保护位(BP1,BP0)是非易失的,它们两位决定软件写保护的区域大小。这两位由写状态寄存器命令WRSR来设置。 • • SRWD位:状态寄存器写禁止位(SRWD)位和硬件保护信号W 结合起来操作。0 F$ a& K. o4 t2 R) Y : @3 t$ ]! G: {$ o. p 写状态寄存器指令WRSR 写状态寄存器(WRSR)用来写一个新值到状态寄存器中,在写状态寄存器命令操作之前,需要先执行写使能WREN指令。写状态寄存器用来改变BP1,BP0,SRWD位的值,写状态寄存器不影响b6, b5, b4, b1(WEL), b0(WIP)的值,即b1(WEL)位是由写使能命令WREN来改变其值的,而b0(WIP)是状态为,不能修改。* d, H6 X4 O; l' C" C* h7 K ' d" J7 {: m3 q; } E5 r+ v 读内存指令 当前如果有写周期在执行中,是无法进行读内存操作的。有效的地址位是A16~A0,地址位A23~A17不用关心。 写内存指令 字节写时序图如下: 页写时序图如下: 有以下几种情况,写内存指令是不被接受和执行的:- K3 A r, @; D+ T- h7 I • 写使能位WEL没有被置1; • 写周期在执行中;! e: S# K* M6 l- X • 在数据传输的最后一个位b0被锁存后,设备还没被取消选择,S 还未置高;: }5 q7 q4 b3 h% g • 要访问的地址页在块保护的区域中。 3 _0 T0 {0 M9 |2 ~$ y; ^- ^+ Q 读标识页指令 读标识页时序图如下: 256字节的标识页是一个附加的页,能够被写和永久锁存为只读模式。读标识页的最大数量不能超过页边界,否则会读取到不可预测的数据。例如,从位置90开始读取标识页数据,读取的数量不能超过166,因为页边界时256字节。4 P- x# G; G0 O7 d7 a, A 假如有写周期在执行中,那么读标识页指令不被接受和执行。 0 @; o- L- M6 A0 Q# U) p3 @ 写标识页指令3 G# Z6 s" ?) \" j+ b0 k 写标识页时序图如下所示: 256字节的标识页能够被写和永久锁存为只读模式。6 H6 M" @5 t' N% ^- v0 [' f2 z2 a 1 {& I: x4 s8 u W H( @# _$ D 数据保护 状态寄存器中的写禁止位SRWD,是配合写保护引脚W 一起使用的,它们一起决定的保护模式如下表所示:; L% M& {# ~& G8 c0 ^+ j, | 写状态寄存器WRSR对b6,b5,b4,b1,b0位没有影响, b6,b5,b4一直是0。 状态寄存器写禁止位SRWD在状态寄存器中的初始化状态为0,通过WREN命令设置了WEL位后,不管W 引脚的电平如何,都允许写状态寄存器WRSR。& D& S; a' x- i& y: h8 u 当状态寄存器写禁止位SRWD被置1后,根据W 引脚的电平有以下两种情况: • 当W 引脚为高时,通过WREN命令设置了WEL位后,允许写状态寄存器WRSR。3 J/ l# g: s& d6 p( C2 K1 |; w0 [ • 当W 引脚为低时,不管是否通过WREN命令设置了WEL位,都不允许写状态寄存器WRSR。4 U: d8 |, G' F7 P' X; n- n& J 内存中的数据,可以被设置为软保护(SPM),也可以设置为硬保护,其中软保护是通过设置块保护位BP1,BP0。以下两种情况发生时,将会进入硬件保护模式HSM:" d; V8 h* w3 L8 ^, R • W 引脚输入低电平后,置SRWD位为1; • 置SRWD位为1后,W 引脚输入低电平。' S4 b+ t, I0 ^" O1 r# c/ J7 D 假如W 引脚一直为高,则硬件保护模式HSM不会被激活,此时只有软件保护模式SPM,使用状态寄存器中的BP1,PB0来设置要保护的内存区域。9 W5 b( d) ^" s% C% ^! h 3 h" s+ |' I L% O/ k 读锁状态 读锁状态时序图如下所示:/ ? s, l. R ? 读锁状态指令用来检查标识页是否被锁或为只读模式,地址位A10必须为1,其它地址不用关心。锁存位是读取到的数据的最低位,该位为1则锁存被激活,该位为0则锁存未被激活。; h' \# ?0 A, l. N% c5 V- l 锁状态查询 所状态指令时序图如下所示: , s9 e. L, N( H& `8 K 锁标识指令永久地锁存标识页为只读模式。该执行执行之前,先要执行写指令WREN。地址A10必须为1,其它地址位可以不关心。数据字节必须按照二进制的xxxx xx1x发送,x位的值不需关心。 有以下几种情况会导致锁标识指令不被接受和执行:: ?2 d0 ~2 n% G& u0 h3 m8 W • 写周期已经在进行中;! G' k. S, F& M) H • 块保护位设置为(BP1,BP0) = (1,1) ;& m4 g* u& j2 c5 i1 G • 数据传输边界时的S 上升沿出现。 : \. @( C3 E& R# W 上电状态4 m+ o4 J: j( v, P, @; m1 @ 上电以后,EEPROM将会有如下状态:$ _9 O O L! x4 {" B' a" F • 待机模式; • 设备上电后,EEPROM是被取消选择的状态,需要S 下降沿来开启指令传输;: V# ]8 b, {: k& |' s • 不在保持状态下; • 写使能锁存位是复位为0的;0 r C$ n: m) t; `% M" d7 Z • 写进度位使复位为0的; 状态寄存器中的SRWD,BP1和BP0是断电后不会改变的,非易失的。 2 M: u3 G [; L1 L2 r7 N: H 交货状态) ^1 z2 d% W. Q5 i/ L 整个内存区域和标识页的字节都设置为0xFF。状态寄存器写禁止位SRWD和块锁存位BP1、BP0都初始化为0。 5 ?5 H5 ?6 Z2 |/ U3 N c% Q 结论# Z5 }& p+ w9 C2 z W- h+ l 通过对M95xxx系列EEPROM进行介绍,能够快速指导用户如何使用HOST访问EEPROM内存和进行写保护设置,用户可以在设计产品过程中参考本文档进行软件设计,特别是写保护设计部分。6 H& A, Q3 K& i7 g) E) u 2 n4 W" d. y- m# x, I' `, b+ W |
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