本帖最后由 toofree 于 2019-3-12 00:46 编辑
【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM
本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型，将块编程写改为了字节写。
从数据手册得知，STM8S001J3只有128字节的EEPROM。
EEPROM起始地址（基地址）0x4000。
在main.c主程序中，修改添加EEPROM基地址宏定义，GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。
16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究，保留。
主函数main()中，有事没事加上5S开机延时，调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。
读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]；
当第个数组元素为0x00时设置dir=1，否则设置为0；
当dir为0时，即GBuffer[0]不等于0x00时，依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F；当dir为1时，依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF；
再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[]，观察数据是否正确。
并增加设置两处断点。
编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口，打开内存窗口选择查看EEPROM数据。
全速运行，5S钟后，跑到第一处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x00到0x7F，是上一次程序运行是写入的数据。
全速运行跑到第二处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点，程序全速运行，看到LED灯在闪烁。
停止程序，将调试复位后，重新打断点调试运行。
此次看到的现象，在第一处断点处数据为0x80到0xFF；第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。
中间也测试过FLASH_EraseByte()函数，然而对于EEPROM读写来说，没啥作用，只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说，不需要擦除操作，因为是“真EEPROM”。
至此，EEPROM字节读写测试结束。
本贴测试工程附上：
STM8S_StdPeriph_Flash_EEPROM.rar
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