意法半导体提升车用40V MOSFET的噪声性能和能效

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中国,2016年11月4日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET F7制造技术,开关性能优异,能效出色,噪声辐射极低,耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A,主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统,同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置,例如电动助力转向系统(EPS)。
 
MOSFET
 
意法半导体的STripFET系列采用DeepGATE技术降低芯片单位面积导通电阻RDS(on)和RDS(on) x 栅电荷(Qg)值,在采用相同的功率器件封装条件能效非常优异。高雪崩特点是新产品另一大亮点。
 
通过降低体效应二极管的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),STripFET F7的开关性能尤其是能效大幅提升,同时软度更高的反向恢复可最大限度降低静电干扰 (EMI),从而放宽对滤波器件的要求。此外,电容得到优化,使器件抗噪性得到改善,缓解了对缓冲电路的需求,阈压调校使器件具有良好的耐抗误导通性能,而无需专用栅驱动器。在电机驱动等电桥拓扑中,二极管软恢复方法有助于防止直通电流现象发生,从而提高驱动电路的可靠性。
 
40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通过AEC-Q101标准认证,采用侧面支持湿法焊接的PowerFLAT 5x6封装。紧凑的封装面积和0.8mm的厚度支持高系统功率密度,此外侧面镀锡设计有助于提升焊接可靠性和寿命,100%支持自动光学检验工序。
 
40V车用STripFET F7 MOSFET即日起量产。
 
详情访问:www.st.com/stripfetf7
 
 
 
 
 
关于意法半导体
 
意法半导体(STMicroelectronics; ST)是全球领先的半导体公司,提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在,致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居,以及下一代移动和物联网产品。享受科技、享受生活,意法半导体主张科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
 
意法半导体2015年净收入69亿美元,在全球拥有10万余客户。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com
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